Nanosheet GAAFETs:紧凑型建模(Politecnico di都灵)


技术论文题为“NS-GAAFET紧凑型建模:Sub-3-nm电路性能的技术挑战”是由研究人员发表Politecnico di都灵。文摘:“NanoSheet-Gate-All-Around-FETs (NS-GAAFETs)通常被认为是未来技术,推动数字节点扩展到低于纳米范围。NS-GAAFETs预计将取代FinFETs几年后,为…»阅读更多

为什么计算驱动光掩模的变化的变化


阿基》的首席执行官d2,与半导体工程商谈大规模改进计算基于密度增加芯片,以及为什么印刷曼哈顿形状光掩模上不再足以打印高性能设备每次预测的可靠性。他解释了为什么一个不连续在EDA物理设计打开门打印曲线世鹏科技电子…»阅读更多

应力张量中构造的确定性计算薄基片


从麻省理工学院和亚利桑那大学的新研究报告,由美国宇航局资助的。抽象”访问的巨大价值自由表面等mass-sensitive应用空间光学或metaform光学组件需要制造过程适合计算薄基片。我们提出应力张量中构造的精确校正图错误,即使microstruc……»阅读更多

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