光刻的化学工作:Marangoni-Effect-Based单层增强整平


在半导体制造领域,仍有持续的搜索技术来提高临界尺寸均匀性(CDU)晶片。基民盟改善和减少一般有缺陷增加工业产量和保证高可靠性标准。在KrF Dual-Damascene模块集成,在光刻层面,深沟整平是强制性的……»阅读更多

马朗戈尼有效,在一个双波纹Via-First方法


的主要挑战之一双波纹(DD) via-first过程的控制临界尺寸(CDs)光刻的战壕。光致抗蚀剂(PhR)厚度呈现变化通过数组的开放区域,导致CDs的变化:摆动的效果。DD via-first的整平过程报告。一个双层的解决方案用于发展……»阅读更多

马朗戈尼有效,在一个双波纹Via-First方法


的主要挑战之一双波纹(DD) via-first过程的控制临界尺寸(CDs)光刻的战壕。光致抗蚀剂(PhR)厚度呈现变化通过数组的开放区域,导致CDs的变化:摆动的效果。DD via-first的整平过程报告。一个双层的解决方案用于对朱元璋……»阅读更多

超级区域材料海沟和通过数组


由于设备设计尺度和变得更加复杂,好控制模式和转移是不可或缺的步骤。整平的深沟,通过阵列一直是一个挑战。纵横比继续增加,临界尺寸缩小,和典型的海沟填补计划不再能够满足填充和整平的要求。传统设计的自旋对碳(SOC)米……»阅读更多

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