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标签:igbt

硅功率半决赛面临挑战
通过马克LaPedus- 2月17日,2022 -评论:0

功率半导体供应商继续发展和船舶设备基于传统的硅技术,但硅已接近极限,面临着技术GaN和碳化硅等的竞争加剧。作为回应,行业正设法延长传统硅基电力设备。芯片制造商增加了更多的性能和延长技术,至少在…»阅读更多

中国加速铸造、电力半的努力
通过马克LaPedus11月- 22,2021 -评论:4

中国已经公布了若干举措推进国内半导体产业,包括一个新的铸造和大规模工厂扩张运动,出(GaN)和碳化硅(SiC)市场。国家大举进入所谓的“第三代半导体,”这是一种误称。这个词实际上是指两个现有的和常见的功率半导体元件…»阅读更多

动态芯片电流分布仿真技术对功率器件布局设计
通过技术论文链接11月- 12,2021 -评论:0

文摘:“报告芯片电流分布验证技术的电力设备,考虑寄生布局的影响。该方法使芯片验证的动态电流分布的影响考虑寄生布局从最初的发展阶段的设备通过刷牙TCAD技术,每个元素香料模式……»阅读更多

准备下一代半决赛
通过马克LaPedus9月- 16,2021 -评论:0

经过多年研发,几个供应商正在接近航运能力基于下一代宽禁带的半导体和其他产品的技术。这些设备利用新材料的特性,如氮化铝,钻石,和氧化镓,他们也使用不同的结构,如垂直出电力设备。不过,虽然许多的……»阅读更多

现代电力设备SiC mosfet的景观
通过彼得·弗里德里希- 08年4月,2021 -评论:0

多年来,低损失可能高细分领域使碳化硅(SiC)场效应管之间非常受欢迎工程师。目前,他们大多是用于地区igbt(绝缘栅双极型晶体管)之前一直流行的组件的选择。但做SiC mosfet扮演的角色在今天的风景电力设备?与碳化硅mosfet (Metal-Oxide-Semicond…»阅读更多

提高可靠性GaN和碳化硅
通过马克LaPedus- 18,2020 -评论:2

氮化镓(GaN)和供应商碳化硅(SiC)电力设备正在推出下一波产品与一些新的和令人印象深刻的规格。但在这些设备被纳入系统之前,他们必须证明是可靠的。与以前的产品,供应商也很快指出,新设备是可靠的,虽然有一些问题,可以偶尔表面…»阅读更多

金属供应商眼新的应用
通过马克LaPedus2020年2月- 20(-评论:0

一些设备制造商正在开发或增加新的摘要化学汽相淀积(金属)系统的市场,希望捕获应用程序的下一波增长领域。中各种金属设备供应商之间的竞争是非常激烈的市场,即德国爱思强公司股价,AMEC Veeco。此外,金属设备供应商正在寻找2020年恢复增长,但b…»阅读更多

权力半战争开始
通过马克LaPedus- 10月23日,2019 -评论:1

一些厂商推出下一波的功率半导体基于氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC),为摊牌与传统硅设备在市场上。电力半导体专业的晶体管,将不同的和有竞争力的技术像甘,碳化硅和硅。作为开关电源元件操作high-volt…»阅读更多

电力/性能:6月25日
通过杰西·艾伦- 25,2019 -评论:0

改善igbt东京大学的研究人员开发出一种电源转换装置,超过以前的性能限制,显示仍有上涨的硅设备,已被认为是接近自己的极限。团队的改进绝缘栅双极型晶体管(IGBT)使用一个扩展方法,和模拟表明,降尺度pa……»阅读更多

SiC需求增长快于供应
通过马克LaPedus- 5月23日,2019 -评论:2

碳化硅(SiC)行业中主要的扩张运动,但供应商正在努力满足潜在需求为碳化硅电力设备、晶片市场。只是一个例子的扩张努力,Cree公司计划投资10亿美元,以增加其SiC晶圆厂和圆片的能力。作为计划的一部分,克里族是发展中世界上第一个200毫米(8英寸)SiC f……»阅读更多

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