二维半导体材料蠕变对制造业


随着晶体管规模,他们需要薄渠道实现足够的通道控制。不过,在硅表面粗糙度散射降低流动性,限制最终通道厚度约3海里。二维过渡金属dichalcogenides (tmd),如二硫化钼和WSe2有吸引力的部分原因是他们避免此限制。没有平面外晃来晃去的债券和在…»阅读更多

周检查、制造、测试


三星宣布3 nm过程的初始生产节点,它使用一个gate-all-around (nanosheet)晶体管结构,该公司称Multi-Bridge-Channel场效应晶体管(MBCFET)。第一代3 nm过程可以减少能耗45%和5 nm过程相比,性能提高23%和面积减少16%,据该公司。第二代3…»阅读更多

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