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高NA EUVL薄阻的计量


高数值孔径极紫外光刻(high NA EUVL)的诸多限制之一与阻光剂厚度有关。事实上,从当前的0.33NA转移到0.55NA(高NA)的后果之一是焦点深度(DOF)的降低。此外,当抗蚀剂特征线缩小到8纳米半间距时,必须限制纵横比以避免图案崩溃。T…»阅读更多

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