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标签:高k电介质

英特尔在包
通过埃德·斯珀林2017年5月- 08 -评论:1

高级研究员马克•波尔和英特尔的流程架构和集成主管,坐下来与半导体工程讨论日益增长的重要性multi-chip集成在一个包,越来越强调异质性,期望在7和5 nm。下面是采访的摘录。SE:有一个走向更多的异构性的设计。英特尔显然……»阅读更多

FinFET比例达到热极限
通过布莱恩•贝利——5月12日,2016 -评论:2

1974年,罗伯特·h·Dennard工作作为IBM的研究员。他介绍了mosfet将继续作为压控开关与收缩功能,提供掺杂水平,芯片的几何形状和电压缩放以及那些规模减少。这被称为Dennard定律虽然,摩尔定律一样,这是一项法律。T…»阅读更多

仍在寻找稀土资源
通过马克LaPedus8月- 20,2015 -评论:1

有好的和坏的消息要告诉买家的稀土。好消息是:这是一个买方市场。稀土价格仍低迷之际,在市场上供过于求。坏消息是:供应商是不稳定的。中国仍然占世界总产量的85%的稀土,但大多数中国供应商是亏本运营。和两个主要的非中国供应商,米……»阅读更多

一对一:马克波尔
通过马克LaPedus- 9月18日,2014 -评论:1

半导体工程坐下来讨论过程技术,晶体管的趋势,芯片封装和其他主题的马克•波尔高级研究员和英特尔的流程架构和集成主管。SE:英特尔公司最近推出了新14 nm芯片基于其过程。你能简要描述14 nm过程?玻尔:这是我们的第二代,三栅极的技术。所以它有阿尔……»阅读更多

硅后是什么?
通过凯瑟琳德比郡- 09年1月,2014 -评论:4

正如在本系列的第一篇文章中所讨论的,是成功的候选人之一硅锗作为先进的晶体管通道材料,并已好几年了。锗集成的基本挑战是详细的在2007年的长度。不幸的是,知道的问题并不一定导致解决方案。当一个MOSFET晶体管……»阅读更多

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