标签:高纵横比蚀刻

加快流程优化和虚拟加工
通过Coventor- 7月16日,2020 -评论:0

先进CMOS缩放和新的内存技术日益复杂结构引入设备的制造过程。例如,NAND内存的增加层取得了更大的垂直NAND缩放和更高的存储密度,但导致挑战高纵横比蚀刻图案和脚印扩展问题。独特的集成和模式方案b…»阅读更多

3 d NAND种族面临巨大的技术和成本的挑战
通过马克LaPedus- 5月23日,2019 -评论:8

由于持续的记忆低迷,3 d NAND闪存供应商继续互相竞赛到下一个技术代一些挑战和未来可能的洗牌。微米、三星、SK海力士和Toshiba-Western数字二人正在开发3 d NAND闪存产品路线图上的下一个节点,但两人的地位,英特尔和中国长江内存技术有限公司(YMTC), les……»阅读更多

3 d NAND计量日益增长的挑战
通过马克LaPedus- 09年4月,2019 -评论:8

3 d NAND闪存供应商面临几个挑战他们的设备规模到下一个级别,但制造技术是在每个turn-metrology更加困难。计量、测量和描述的艺术结构,找出问题,确保收益用于所有芯片类型。对于3 d NAND,计量工具正变得越来越昂贵的在每个迭代中…»阅读更多

一旦再次出现低温腐蚀
通过马克LaPedus9月- 20,2018 -评论:0

经过多年研发,技术称为低温腐蚀是重新作为一个可能的选项在内存中为生产行业面临新的挑战和逻辑。低温腐蚀去除材料设备具有高纵横比在寒冷的气温中,尽管它一直是一个挑战性的过程。低温腐蚀是很难控制,它需要专业的低温气体……»阅读更多

NAND闪存市场减速带
通过马克LaPedus- 6月21日,2017 -评论:5

NAND闪存的需求依然强劲,由于数据在系统的冲击,但整体NAND闪存市场是夹在中间的一个具有挑战性的时期受到产品短缺,供应链问题和困难的技术过渡。英特尔、微米、三星、SK海力士和东芝/西部数据组合继续船传统平面NAND闪存市场,但这种工艺……»阅读更多

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