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标签:HEMTs

设备供应商为GaN市场爆发做好准备
通过阿黛尔神秘圣地- 2022年8月18日-评论:0

在消费设备和许多应用中对更高能效的需求的推动下，一个巨大的GaN市场正在开放。供应商已经准备好了，但要在高压汽车应用领域与SiC充分竞争，还需要功率GaN(氮化镓)的进一步技术发展。尽管如此，21世纪20年代是GaN市场的高增长阶段。收益在幂GaN标记…»阅读更多

电力、电动汽车市场需要GaN集成电路
通过凯瑟琳德比郡- 2022年3月17日-意见:0

使用分立GaN元件构建的电路可能可以完成这项工作，但完全集成的GaN电路仍然是最终目标，因为它们将提供许多与集成硅电路相同的优势。这些优点包括随着电路占地面积的扩大而降低成本，并通过较短的互连运行降低寄生电阻和电容。此外，提高了器件性能。»阅读更多

加速SiC和GaN
通过Ann Steffora Mutschler- 2021年12月13日-意见:0

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)在电力电子产品中越来越受欢迎，特别是在汽车应用中，随着产量的扩大，降低了成本，并增加了对更好的工具的需求，以设计、验证和测试这些宽带隙器件。SiC和GaN在电动汽车的电池管理等领域都被证明是必不可少的。他们可以处理很多…»阅读更多

用于CoolGaN 600v hemt的栅极驱动解决方案
通过英飞凌- 2021年7月8日-评论:0

本文介绍了英飞凌CoolGaN 600v电子模式hemt的栅极驱动要求。讨论了各种驱动解决方案，从标准的rc耦合驱动器到使用专用门驱动器ic的新型差分驱动概念。在半桥拓扑中，结合隔离和非隔离驱动器的混合配置可能是一种令人兴奋的替代方案。实际应用…»阅读更多

5G功率放大器大战开始
通过马克LaPedus- 2020年8月24日-评论:2

5G基站对功率放大器芯片和其他射频设备的需求正在增加，为不同公司和技术之间的摊牌奠定了基础。功率放大器器件是提升基站射频功率信号的关键器件。它基于两种竞争性技术，硅基LDMOS或射频氮化镓(GaN)。GaN，一种III-V技术，表现优于…»阅读更多

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