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动态闪存双栅门周围晶体管(SGT)


文摘:“提出了一个ultra-scaled记忆装置,称为“动态闪存(DFM)”。周围带有双栅栅晶体管(SGT) capacitorless 4 f2细胞可以实现。类似于DRAM[1],需要刷新,但高速块刷新可以改善责任比例。类似于Flash[2],三个基本操作的“0”擦掉,“1”项目,阅读是娘家姓的…»阅读更多

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