一种超规模的存储设备，称为“动态闪存(DFM)”。使用双栅极环绕栅晶体管(SGT)，可以实现无电容4f2电池。
文摘:
“这篇论文提出了一种超规模的存储设备，称为动态闪存(DFM)。使用双栅极环绕栅晶体管(SGT)，可以实现无电容4F2电池。与DRAM[1]类似，需要刷新，但高速块刷新可以提高占空比。与Flash[2]类似，需要“0”擦除、“1”程序和读取三个基本操作，但可以使用快速随机读取和页面程序。通过二维TCAD仿真，对动态闪存的三种基本操作进行了定性验证。
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K. Sakui和N. Harada，“双栅极环绕栅晶体管的动态闪存(SGT)”，2021年IEEE国际存储研讨会(IMW)， 2021年，pp. 1-4, doi: 10.1109/IMW51353.2021.9439614。
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