标签:电化学沉积

处理芯片的阻力
通过马克LaPedus- 6月21日,2018 -评论:2

芯片制造商继续规模晶体管在高级节点,但他们正努力保持同样的速度与其他两个开头接触和互联的关键部分。然而,一切都开始改变了。事实上,在10 nm / 7海里,芯片制造商正在引入新的拓扑结构和材料,如钴,承诺提高性能和减少不必要的抵抗……»阅读更多

平扇出选项面板
通过马克LaPedus- 06年11月2017 -评论:2

几个包装房子在探索生产panel-level扇出包装,新一代技术,今天承诺降低成本的扇出包。事实上,ASE、棉结、三星和其他已安装的设备panel-level扇出的线条与生产计划为2018左右。但在幕后,panel-level包装房子contin……»阅读更多

便宜的扇出前
通过马克LaPedus- 07年8月,2017 -评论:6

包装公司继续加大扇出wafer-level包在市场上,但是客户希望低成本扇出产品更广泛的应用,如消费者、射频和智能手机。所以在研发、行业一段时间一直在开发下一代扇出使用panel-level格式,扇出的技术,有可能降低成本。但也有…»阅读更多

电镀IC包
通过马克LaPedus4月- 10,2017 -评论:2

电化学沉积(ECD)集成电路包装设备市场升温2.5 d, 3 d和扇出技术开始增加。[getentity id = " 22817 " e_name =“应用材料公司”)最近推出了一个儿童早期开发系统集成电路包装。此外,林研究、电话和其他增长但竞争激烈竞争ECD包装设备市场。ECD-sometimes称为pl……»阅读更多

的好处在矽通过
通过凯瑟琳德比郡- 10月17日,2013 -评论:0

在矽通过(tsv) 3 d集成表面上类似于波纹为集成电路铜互联。腐蚀通过,进入硅或介质,线阻挡铜扩散,然后存一颗种子层填充之前通过使用某种形式的水与铜沉积。在这两个过程,扩散屏障的完整性。»阅读更多

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