如何比较芯片


传统的半导体指标在最先进的设计中变得越来越没有意义。每平方厘米中晶体管的数量只在它们能被利用的情况下才重要,如果不能给所有晶体管提供足够的功率,那么每瓦性能就无关紧要了。整个芯片行业的共识是,每个晶体管的成本在逐年上升。»阅读更多

一周回顾:制造,测试


美国商务部发布了对关键技术的出口管制,包括在高压和高温下使用的氧化镓(Ga2O3)和金刚石衬底,以及专门为GAA fet开发的EDA工具。目前尚不清楚这将如何影响EDA公司,因为许多将用于GAA fet设计的工具已经用于finfet . ...»阅读更多

结构、晶体管、材料的巨大变化


芯片制造商正在为架构、材料以及晶体管和互连等基本结构的根本性变化做准备。最终的结果将是更多的流程步骤,增加每个步骤的复杂性,以及全面上升的成本。在前沿,finfet将在3nm(30埃)节点后的某个地方失去动力。仍在工厂工作的三家铸造厂…»阅读更多

缩放,高级包装,或两者兼而有之


芯片制造商在领先领域面临越来越多的挑战和权衡,在这一领域,工艺缩减成本已经过高,而且还在不断上升。虽然理论上可以将数字逻辑扩展到10埃(1nm)以下,但在这个节点上开发平面SoC的可能性似乎越来越小。在一个听过公关的行业里,这并不令人震惊。»阅读更多

热爱戏剧和面具制作


自13年前eBeam Initiative成立以来,Naoya Hayashi一直是我们的朋友和重要贡献者。我们只是他在DNP 45年的职业生涯中所接受和支持的众多兴趣之一。现在轮到我们拥抱他,感谢他在今年6月退休后,作为DNP的第一位研究员,追求他的下一个篇章。阿基富士山……»阅读更多

在高级包装中产生问题的变异


随着芯片设计变得越来越异构,越来越有针对性,变化变得越来越成问题,很难确定问题的根本原因,也很难预测什么时候会出问题。传统上,对变化的担忧仅限于最先进的节点,那里的晶体管密度最高,制造工艺仍然很好。»阅读更多

高na EUV可能比看起来更近


高na EUV有望缩小至埃级,为晶体管数量更高的芯片以及一波全新的工具、材料和系统架构奠定了基础。在最近的SPIE先进光刻会议上,英特尔光刻硬件和解决方案总监Mark Phillips重申了该公司在高端市场部署该技术的意图。»阅读更多

谁受益于小芯片,何时受益


与会专家:Semiconductor Engineering坐下来与Cadence总裁兼首席执行官Anirudh Devgan讨论新的封装方法和集成问题;西门子EDA执行副总裁Joseph Sawicki;Niels Faché, Keysight副总裁兼总经理;Arm顾问西蒙•西格斯;以及D2S董事长兼首席执行官藤村昭。这次讨论是在一个…»阅读更多

面具景观的变化


半导体掩模在经历了多年相对较小的变化之后,在过去几年中经历了一些重大的技术变化。多束掩模写入器和极紫外(EUV)光刻等新技术是进入大批量生产的重大突破。与这些技术相关的一个新趋势是在掩模上使用曲线特征。阿基…»阅读更多

新终端市场,复杂芯片需求增加


专家座谈:Semiconductor Engineering与Cadence总裁兼首席执行官Anirudh Devgan坐下来讨论经济状况以及如何影响芯片设计;西门子EDA执行副总裁Joseph Sawicki;Niels Faché, Keysight副总裁兼总经理;Arm顾问西蒙•西格斯;以及D2S董事长兼首席执行官藤村昭。这次讨论是在…»阅读更多

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