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标签:互补的电子束光刻技术

7纳米光刻技术的选择
通过马克LaPedus- 07年3月,2016 -评论:2

芯片制造商正在酝酿他们16 nm / 14 nm逻辑流程,预计10 nm进入早期生产今年晚些时候。除非在光刻技术取得重大突破,芯片制造商正在使用今天的193海里浸泡和多个模式16/14nm和10纳米。现在,芯片制造商关注7纳米光刻技术选项。为此,他们希望利用两种技术的结合…»阅读更多

在多波束电子束光刻技术
通过马克LaPedus11月19日,2015 -评论:4

半导体工程坐下来与大卫Lam多波束董事长多波束电子束直写光刻工具应用程序的开发人员。林也是一个风险投资家。在1980年他成立了林的研究,但在1985年离开了作为一个员工。以下是摘录的谈话。SE:设备业务如何改变多年来是什么状态的我…»阅读更多

互补的电子束光刻技术
通过eBeam倡议8月19日,2015 -评论:0

多波束董事长大卫·林看着互补电子束光刻(CEBL)和1 d设计和间距的影响。[youtube视频= nyvplBl4HA4]»阅读更多

数十亿的投资
通过马克LaPedus- 4月17日,2014 -评论:4

多年来,新一代(getkc id = " 80 " kc_name =“蚀刻”](天然气凝析液)遭受各种挫折和延迟。但直到最近,该行业基本上耸耸肩肩,对天然气凝析液的延迟表示相对较少的焦虑。毕竟,光学光刻技术所做的工作在工厂和天然气凝析液最终会实现。然而,今天,心情是不同的。事实上,th……»阅读更多

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