标签:二维半导体

减少接触电阻在发展中基于2 d晶体管材料
通过技术论文链接2023年3月- 10 -评论:0

新技术论文题为“二硫化钨与硫原子晶体管取代界面:采用基于量子传输研究”是国家杨明交通大学研究人员公布的。抽象的“减少接触电阻的主要挑战之一是在发展中基于二维晶体管材料。在这项研究中,我们采用基于……»阅读更多

肖特基势垒高度的控制单层WS2使用分子掺杂场效应晶体管(NIST)
通过技术论文链接- 07年9月,2022 -评论:0

一个新的研究论文题为“控制单层WS2肖特基势垒高度的场效应晶体管使用分子掺杂”被NIST的研究人员发表,赛思研究,海军研究实验室,新星的研究。文摘:“的发展过程可控涂料二维半导体是至关重要的实现下一代电子和光电设备。波形的……»阅读更多

费米能级优化提高设备稳定性的2 d晶体管无定形氧化物
通过技术论文链接- 06年6月,2022 -评论:0

新技术论文题为“提高稳定二维晶体管通过费米能级与无定形氧化物门调优”从微电子研究所研究员,你维恩,AMO GmbH,伍珀塔尔大学、亚琛工业大学。抽象的“基于二维半导体的电子设备遭受有限电稳定性因为电荷载体的起源……»阅读更多

确定的主要组件接触电阻自动薄半导体
通过技术论文链接- 08年3月,2022 -评论:0

抽象”实现良好的电气接触是实现设备的主要挑战之一,基于自动薄的二维(2 d)半导体。几项研究已经检查了这个障碍,但普遍理解的接触电阻和一个潜在的方法来减少目前缺乏。在这个工作我们暴露的缺点经典接触抗拒……»阅读更多

高效的欧姆接触和内置原子在MoSi2N4子层保护和WSi2N4单层膜
通过技术论文链接12月- 10,2021 -评论:0

抽象的“二维(2 d)半导体金属接触往往受到强烈的费米能级将(FLP)效应降低了肖特基势垒高度的可调谐性(SBH)和降低二维半导体器件的性能。在这里,我们表明,MoSi2N4和WSi2N4 monolayers-an新兴二维半导体家庭特殊物理properties-exhibit stron……»阅读更多

能力/性能:12月6日
通过杰西·艾伦2021年12月- 06 -评论:0

可调二维半导体新加坡大学的研究人员技术和设计(SUTD)衡阳师范大学,南京大学,新加坡国立大学,浙江大学发现了一个家族的二维半导体,可以降低阻力,使进一步的扩展。“由于量子隧穿效应,减少了硅晶体管sm……»阅读更多

向前推动二维半导体
通过凯瑟琳德比郡9月- 16,2021 -评论:1

的2 d材料取代硅似乎为时过早。虽然二维半导体已成为潜在的继任者,现在还不清楚何时或即使这将会发生。Imec的主任,Iuliana拉量子计算观察和探索,硅的“结束”已经被预言了很多次了。目前尚不清楚当二维半导体需要做好准备。前沿空中管制官…»阅读更多

石墨烯和硅技术的二维材料
通过技术论文链接- 02年10月,2020 -评论:1

文摘:“硅半导体技术的发展产生了突破电子微处理器在1960年代末到1970年代初,自动化,计算机和smartphones-by降尺度的物理大小设备和电线纳米政权。现在,石墨烯及相关二维(2 d)在设备材料提供了前所未有的发展前景…»阅读更多

材料不断增长的挑战
通过凯瑟琳德比郡- 11年6月,2018 -评论:0

凯瑟琳德比郡&埃德·斯珀林材料已成为一个越来越大的挑战整个半导体供应链,芯片规模继续,或他们在新设备如传感器利用人工智能和机器学习系统。先进工程材料不再是可选的节点。他们现在要求,新材料的数量在芯片contin内容…»阅读更多

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