接下来EUV问题:掩盖3 d效果


随着极端紫外线(EUV)光刻接近生产,该行业更关注问题的现象称为掩盖3 d效果。3 d效果涉及光掩模的EUV面具。简而言之,一个集成电路芯片设计,从一个文件格式转换成光掩模。面具是一个给定的主模板集成电路设计。这是放置在一个光刻扫描……»阅读更多

10 nm FinFETs崎岖不平的道路


铸造供应商目前增加16 nm / 14 nm (getkc id = " 185 " kc_name =“finFET”)市场的过程。供应商正在彼此的业务领域,虽然从平面迁移finFETs预计将是一个缓慢而昂贵的过程。然而,尽管在16 nm / 14纳米的挑战,供应商正在准备下一个战斗在铸造流行10 nm点头……»阅读更多

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