哈佛研究人员提出相关氧化物作为承诺未来3 d ic半导体;芝加哥伊利诺伊大学的研究人员创造了一种方式来创建一个高度敏感的化学传感器基于石墨烯的晶体缺陷表。
竞争者的出现对3 d IC半导体材料
尽管硅有一些严重的竞争对手作为电子工业材料的选择,晶体管无法继续萎缩满足下一代的需求设备的能耗和散热的重要物理限制。为了解决这个问题,哈佛大学的研究人员就获得了一个可逆改变电阻的八个数量级使用量子材料称为软木相关的氧化。从本质上讲,材料一直是工程执行相对最好的硅开关。
这是一种新型的相关晶体管晶体管行动是由离子封闭的领域。
(来源:哈佛大学)
有趣的是,这一发现通常出现在实验室致力于研究燃料电池,和研究人员熟悉薄膜和离子运输使他们能够利用化学反应来达到戏剧性的效果。因为相关氧化物功能同样可以在室温下或几百度上面,很容易将它们集成到现有的电子设备和制备方法,他们断言。发现坚定地建立相关氧化物作为未来3 d的有前途的半导体集成电路以及适应性,可调光子设备。
高度敏感的关键“电子鼻”
芝加哥伊利诺伊大学的研究人员创造了一种方式来创建一个高度敏感的化学物质传感器基于石墨烯的晶体缺陷表,它有独特的电子性质,利用敏感性增加,气体分子吸收了300次。
晶界在许多应用程序,因为他们被认为是缺点散射电子和可能削弱晶格但是研究人员已经表明,这些缺陷对石墨烯气体传感器的工作很重要。因此,团队已经创建了一个微米大小的,单个石墨烯晶界以调查其电子特性,研究其在气体传感方面的作用。
晶界可以合成千分尺规模控制的方式为了容易制造芯片大小等实际使用的传感器阵列电子鼻子。
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