FinFETs多久?(第3部分)

半导体工程坐下来讨论多久FinFET年代将持续和下一步我们我们将去哪里Vassilios Gerousis,杰出的工程师节奏;胡安·雷伊老口径工程研发主任导师图形;开氏度低,铸造营销高级主管三星;和维克托•莫洛兹Synopsys对此科学家。以下是摘录的谈话。第一部分,点击在这里。第二部分,单击在这里。

SE:新技术如何被纳入设计工具本身?

雷伊:有抽象模型捕获进入基本几何尺寸-垂直或水平,他们在两个方向上的变化。这一切被翻译通过使用一个模型转换为另一个工具是要做什么。有工具,用于测量和验证,工具,用于分析和识别电路问题,实际上这是必要桥电路物理域的抽象。如果我们回到本质上那些[FinFET]设备要有一些改变FinFETs但没有巨大的变化——他们插件和已经发生的越来越多。你看看技术一直在发展,这转化为规则的数量,人们需要应用时所做的设计,和适用规则,人们需要做验证时,您可以看到,这真的持续增长指数。这里的选择是什么?如果FinFET的替代变量,以逐步用于门周围,似乎我们汇合,最有可能的情况下,当我们开始跳垂直的,那么很可能几件事情会改变更比我们看到的自然过程。

SE:门周围的工具完全不同?

雷伊:不,我不认为工具是完全不同但会有非常重要的新概念,需要注册,很有可能会需要更长时间。

Gerousis:再一次,这将改变。

莫洛兹:如果你问一个从根本上不同的工具,这是一个问题,因为多少年才能把一个市场,那么你就太迟了你的设计,所以它不能。有一个相互依赖所以它必须是渐进的和增量,添加新的东西。

SE:在某种程度上,不需要从根本上重新架构的工具来充分利用这个过程吗?

莫洛兹:你的意思是量子计算?

SE:当然。或者其他的。我们今天使用的工具,只能延长,对吧?

莫洛兹:如果有一个突破,你如何做的电路,然后是的。但到目前为止,在过去的40或50年,一切都是递增的。

雷伊维克多说什么是完全正确的:如果我们跳至少一些利基市场——此刻的量子计算模型,在那里你有一些理论FinFET周围,但到目前为止,这种模式显然可以应用在一些非常具体的问题,而不是取代通用计算。所以利基领域似乎需要在一些地区一些完全不同的工具,并不是所有的工具。有一些新工具,需要准备FinFET的应用。

Gerousis:即使是进化的制造业,它是一样的:你不能把你了解的一切每层的一部分,做一切从头开始——它必须逐渐改变。

低:对我们的价值数十亿美元的投资。我们如何确保工具重用,还有最高产量。

Gerousis:FinFET提供很好的性能,现在更容易关闭时间;比前几代等20海里。

莫洛兹:尤其是可变性。

Gerousis:所以它带来了好东西,加上我们像工程师的挑战。

低:从工具方面,我们看到这是真正令人兴奋的是工具的效率和改善十字线。随着时间的推移,帮助市场。

SE:当你说“效率”,你是什么意思?

低:吞吐量和运行时。我们看到大幅的改进从导师、节奏和Synopsys对此——这是非常重要的为顾客提供他们的产品。

Gerousis:你的节点将您的两倍数量的盖茨和更大的区域,等等,那么你将在运行时需要一些改进。不仅在运行时,而且在如何设计。完整的设计也需要改善。

低:这可能没有与过程技术;只是设计权证的复杂性。

SE:只看今天,用户体验就FinFET的设计挑战是什么?

低讨论:我认为如果这发生在两年前,这将是不同的。现在因为已经处理FinFET的更多的经验,这个过程是更稳定的批量生产阶段。仍然存在的挑战。也许我将称之为不确定性或缺乏认识——有时你不熟悉的事情;你认为他们的挑战。

雷伊:我想最开始的问题得到了解决,IP开发早期,它有一个与FinFET的同步交互以及新技术更广泛应用,比如双模式,等等。它影响了其他几个人需要解决的事情。再一次,这并不是完全不同——这是不同的新一代的检查必须补充道。数字设计师,但随后的挑战似乎少得多的增长和采用。

莫洛兹人们学习。如果你看看英特尔,他们现在宣称FinFET进程最高收益,他们曾经——比平面——这是令人惊讶的。如果你还记得,库米定律,从30年代更普遍比摩尔定律告诉你人们改善的事情。完全适用于半导体行业。

Gerousis:我相信从客户的采用,从工具,从制造方面,所有的挑战,我们知道已经解决。

SE:哇,太棒了。所以我们就完成了。

莫洛兹:我们是永远做不完。

Gerousis:当你进入14 nm是完全不同的比你得到的10 nm的挑战将是完全不同的,有一个学习曲线相关的14 - 10 nm - 2 x变化对制造业以及工具。

低:14 nm,它是关于如何处理分立器件的设计。10海里,有一定的影响但还有其他流程元素和增强,我们做的不仅仅是FinFET帮助在整个流程。可以转化为新需求的EDA工具。简单的将引入更多的设计规则。

莫洛兹:再一次?

低还有,寄生各方——这是一个重大的努力。

雷伊:这就是多模式将是更具挑战性。我希望有早期的设计师将会给我们带来有趣的挑战。

低:只要极端紫外线(EUV)不上线,我们必须创新而言,我们从光刻的角度根据可用的技术。

莫洛兹:你能说八倍的?

低:还有一个非常重要的角。因为得病的工程师可以做模式,那么变化成为一个大问题,但更重要的问题是成本。客户不是等待EUV,那么你还能做什么呢?设计权衡,设计规则的限制。这些天我意识到成本和时间为王——研发将是有界的。

莫洛兹:但是没有成本与FinFETs——它是完全由back-end-of-line驱动的。

雷伊:一旦你开始超越双模式,模式三倍,四倍;我们已经得到很多五也曝光。那里,一些最关键的那几层变得非常昂贵。

低:如何管理变化,结果角变化。这就是为什么再次成为重要的工具——处理不仅仅是双模式。