FinFETs多久?

半导体工程坐下来讨论多久FinFET年代将持续和下一步我们我们将去哪里Vassilios Gerousis,杰出的工程师节奏;胡安·雷伊老口径工程研发主任导师图形;开氏度低,铸造营销高级总监三星;和维克托•莫洛兹Synopsys对此科学家。以下是摘录的谈话。第一部分,点击在这里。

SE:隧道FinFETs FinFETs之外作为一个选项?

莫洛兹:学术界必须这么做,因为行业告诉它做什么——这是一个尝试新事物。“我们不这样做,那么你为什么不试一试。隧道场效应晶体管的问题,我认为有很多人,大部分都是由于较高的驾驶性能。IMEC去年在IEDM提出一种新方法——这有点争议的——你将源掺杂剂和性能提高10倍,因为你使运营商与隧道路径,但它的工作原理。更大的问题是变化的,因为如果你看看隧道场效应晶体管没有任何缺陷,他们现在很好。但只要你有一些困系统隧道,这些材料必须异质结III-Vs III-Vs和接口是非常困难的。你总是有一些陷阱。现在的问题就是:你没有陷阱,或1陷阱,或2陷阱——性能变化与每一个数量级的陷阱。

SE:能做些什么呢?

莫洛兹:我不认为任何事情可以做。

低:FinFET能否持续到5或3海里,根据摩尔定律命名法,我认为另一个函数是产品上市时间。因为非常苛刻的要求,有时我们必须扩展事情更少的破坏性创新来满足产品的时间表。在制造业务,有些事情是我们无法控制的。客户的产品计划;我们必须找到工作的边界条件和他们仍然能够支持计划。它可能不是最理想的,因为我们可以做更多的如果有一年,但是我们没有这种奢侈。

莫洛兹:也许这就是为什么后来FinFET的进化的本质只是一个短鳍,但门周围有更好的垂直门控制——在你走之前,已明显更好的性能,但破坏性的制造业的发展。

低:和设计师——垂直连接的概念…

莫洛兹也:…是一个更大的改变。但设计只是数百万;制造业是数十亿美元。所以设计将遵循任何你可以做的事情。

雷伊:这个问题更重要的是,要做这样的工具吗?我不知道会影响客户端工具如数字——最有可能是数字,你将能够隔离一切,保持几乎相同的基础设施,但客户端工具很可能会非常影响——但它将取决于所有这些标准电池的体系结构。他们要创建与这些垂直纳米线。

SE:在3 d集成呢?

雷伊:在叠加的情况下,虽然太粗糙,即使在这样的技术我想我们应该认为主要是作为和不作为或——你有相当多的影响设计工具,因为从本质上讲,你想去和利用下一个技术给你:一个更大数量的通过互连(数量级为垂直互联),除此之外,现在你有通过的电阻率是如此广泛的不同的互联,需要考虑位置和路由。尽管这些事情视为主要在发展,没有发现这些工具需要做什么——没有太多的研究——这是需要相当多的工作。我认为唯一的研究活动,是足够的信息的努力Leti放在一起被称为CoolCube。他们正在谈论2017年提出一些演示功能,但他们似乎说你的确能长一层活性硅的现有需求,以最小扰动下面的设备。他们已经报告只有10%的退化过程。

SE:似乎发生什么是,当需要技巧,和客户的需求,他们会发达。不知何故行业拉在一起,被开发的工具。这种模式是可持续超越FinFET当我们得到这些非常有趣的堆栈或使用新材料的方法,等等。

莫洛兹:你期望多少半导体制造商吗?有多少客户?

SE: FinFET之外,谁会发号施令,并将客户还有影响力吗?

莫洛兹:如果有一个,实际上可能会使事情变得更容易。

低:你不会有一个选择。我们看到的模型将继续下去。工程团队和技术团队总会找到解决施加。如何合作,继续发展。现在离了,但这是足够近吗?我们接触到的系统架构师铸造的观点吗?不够的。我认为我们必须去更深层次的理解。客户也愿意开放。在这个领域我们看到改进在早期测试芯片开发。 The first tests may not be successful but they are important for mutual learning. We actually change our PDK design rules according to the learnings we obtain from the customer test chips. Doing one transistor is easy; once we put together millions of transistors — it’s totally different. This learning process has to continue — we don’t see any other way.

SE:如何超越不情愿?

Gerousis:共同客户将推动不同的政党。如果有一个客户,他们将推动各方共同努力。

雷伊:这完全取决于专业很少,大量的客户基本上驱动市场,因为你看着它,仍有一个巨大的多样性的活动建立节点,这似乎还会继续增长。但当你有这些很少的客户,那么这个模型需要收紧:foundry-fabless-IP-EDA,所有交谈为了得到一个解决方案。赌注是巨大的。

低:我曾见过的另一件事是,大型生产线,让最终参与进来——他们也建造更多的内部功能:他们正在招聘来自设备制造商的人真的有深刻理解。同样,从一个铸造的角度,我们是幸运的,因为我们有分歧,做设计,所以我们得到必要的设计规则。我认为,一般来说,其他铸造厂也招聘专业到系统级别,因为现在我们正在努力有更好的了解和预测,实际上之前客户要求。这并不容易,但我们已经建立了一些功能。在过去,我们没有。

SE:所以的专业公司把人们带回到制造业experise吗?

Gerousis:是的,他们正在寻找两个节点,至少。

低:他们几乎说同样的语言,所以我们可以交谈。打破一些障碍,也许在不知不觉中,但它的发生。

Gerousis:EDA公司从未使用过的界面(制造方专业公司),但现在我们,因为我们需要更多的合作。他们需要理解,‘好吧,我们可以做5 nm政权吗?”

莫洛兹:这意味着设计抽象是坏了?

Gerousis:是的。

SE:你是什么意思?

莫洛兹你不能说,‘哦,只是做你想做的不过这些晶体管;我将做一个电路。“你需要确切地知道他们如何打喷嚏。

雷伊:我们需要谈论的所有寄生精度还有双模式有影响。你真的需要检查的方式即使你有权利保护在不同电路——所有这些在很大程度上取决于技术以及设计风格,这样对话需要发生。

Gerousis:至少他们看是喜欢做一个例子的扇出司机的位置,线将会改变网络的功率和性能,在这些政权,尤其是抵抗力差。

SE:加入这一水平的挑战的新的认识工具吗?

雷伊:第一部分主要是因为发生在最低水平,你需要得到一个非常准确的表示的电路。一切开始于计算和模型能够主动和被动的每一个组件的电特性。

莫洛兹:也许一个很好的例子是线的中间。这是一个新概念,FinFET。没有这样的事,但现在是一个重要的影响:有一个新的概念,新的设计流程。

雷伊:另一个是,几年前,人们开始做工程,压力,有必要开始更多的实际尺寸测量设备;提取这些信息,这样你可以有一个更精确的时间和功率的估计电路。

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