有许多措施日益增长的规模和复杂性的半导体器件:死区,晶体管计数,计数,记忆的大小,数量的并行处理等等。所有这些因素意味着更多的时间花在设计,但他们也在验证产生重大影响。由于几乎所有行业研究显示验证时间和精力的增长速度超过了设计、规划芯片项目时必须考虑这种影响。
时钟域交叉(CDC)设计和验证过程也不例外,这些趋势。独立时钟域芯片的数量稳步增长,和精心设计的技术要求避免数据损坏和其他严重的问题。许多这样的设计缺陷,如果允许逃到硅,会导致芯片不工作,可能需要一个漫长而昂贵的re-fabrication修复。因此,pre-silicon验证所有疾病预防控制中心是至关重要的。仿真和静态时序分析等传统验证方法效率不高,无法提供完整的验证。只有结合静态、模拟和正式的技术可以详尽的验证疾病预防控制中心和证明没有相关设计错误。这个白皮书提供了背景对时钟域及其验证的挑战,然后提出了一种全面的解决方案中心验证。
点击在这里下载白皮书。
imec的计算路线图;美国目标华为;美印。特遣部队;China-Bolivia交易;力量发泄白光干涉测量系统;三星量化可持续性;麦肯锡标识在美国工厂建设问题;发光二极管。
留下一个回复