类别:头条新闻

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二维半导体材料向制造业发展
通过凯瑟琳德比郡- 2023年2月16日-意见:0

随着晶体管的缩小，它们需要更薄的通道来实现足够的通道控制。然而，在硅中，表面粗糙度散射降低了迁移率，将最终通道厚度限制在3nm左右。二维过渡金属二卤属化合物(TMDs)，如MoS2和WSe2，之所以具有吸引力，部分原因是它们避免了这种限制。没有飞机外的悬空债券和在…»阅读更多

芯片技术和行业动态即将发生重大变化
通过埃德·斯珀林- 2023年2月8日-意见:0

《半导体工程》与ASML总裁兼CTO Martin van den Brink坐下来讨论了定制化和先进封装的影响，以及对可靠性和地缘政治竞争的担忧;Luc Van den Hove, imec首席执行官;Lam Research计算产品副总裁David Fried;以及测试组和生命周期部副总裁兼总经理Ankur Gupta…»阅读更多

大型芯片公司之间的合作日益扩大
通过埃德·斯珀林- 2023年1月23日-意见

与会专家:半导体工程公司坐下来讨论了设备和工具供应商之间日益增长的合作需求，系统公司的影响和复杂性的增加，以及如何在控制成本的同时处理更多定制化的推动，ASML总裁兼CTO Martin van den Brink;Luc Van den Hove, imec首席执行官;David Fried, computati的副总裁…»阅读更多

铁电记忆:中间地带
通过凯瑟琳德比郡- 2023年1月19日-意见:0

本系列的第一篇文章考虑了使用铁电体来改善逻辑晶体管的亚阈值摆动行为。铁电体在逻辑应用中的前景尚不确定，但铁电存储器具有明显的优势。两种最常见的商业记忆位于光谱的两端。DRAM速度很快，但需要恒定的功率来维持其信息…»阅读更多

先进包装中的未知和挑战
通过埃德·斯珀林- 2023年1月19日-意见:0

Promex Industries的首席执行官Dick Otte接受了《半导体工程》的采访，讨论了材料性能的未知因素、对键合的影响，以及为什么环境因素在复杂的异质封装中如此重要。以下是那次谈话的节选。SE:公司一直在设计异构芯片，以利用特定的应用或用例，但……»阅读更多

铜互连能走多远?
通过劳拉·彼得斯- 2022年12月15日-意见:0

随着领先的芯片制造商继续将finfet(很快还会是纳米片晶体管)的尺寸扩大到越来越小的间距，使用铜作为衬里和阻挡金属的最小金属线最终将变得站不住脚。接下来会发生什么，什么时候发生，还有待决定。目前正在探索多种选择，每一种都有自己的一套权衡。自从IBM将计算机引入这个行业…»阅读更多

铁电体:负电容的梦想
通过凯瑟琳德比郡- 2022年12月15日-意见:0

随着芯片制造商寻找维持驱动电流的新方法，铁电体正受到认真的重新审视。铁电材料可以提供非易失性存储器，在DRAM和闪存之间提供重要的功能间隙。事实上，用于存储器的铁电体和用于晶体管的2D通道是最近IEEE电子设备会议的两个亮点。Ferroelectri……»阅读更多

向小芯片进军
通过埃德·斯珀林和凯伦·海曼- 2022年12月15日-意见:0

在最先进的工艺节点上开发单片芯片的时代正在迅速缩短。几乎所有在设计前沿工作的人都在寻找使用离散异构组件的某种类型的高级封装。现在的挑战是如何将整个芯片行业转变为这种分散的模式。这需要时间，精力，以及大量的现实。»阅读更多

让尖端节点的芯片产量更快
通过埃德·斯珀林- 2022年11月30日-评论:0

半导体制造的模拟正在升温，特别是在最先进的节点上，数据需要在变化和不良率等因素的背景下进行分析。《半导体工程》采访了Lam Research公司计算产品副总裁大卫·弗里德(David Fried)，谈论了Lam最近收购Esgee Technologies的背后原因。»阅读更多

后方电力输送的挑战
通过劳拉·彼得斯- 2022年11月17日-评论:0

实现3nm以下工艺的关键技术之一是在芯片背面传输功率。这种新方法增强了信号完整性，减少了路由拥塞，但它也带来了一些新的挑战，目前还没有简单的解决方案。后台电力输送(BPD)消除了需要在信号和电力线之间共享互连资源的t…»阅读更多

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