标签:Web-Feet研究

四个铸造厂MRAM回来
通过马克LaPedus8月23日,2017 -评论:4

四大铸造厂计划提供MRAM作为嵌入式内存解决方案在今年或明年,为最终可能被证明是一个改变下一代存储技术。GlobalFoundries,三星,台积电和联华电子计划开始提供自旋转矩磁阻的RAM (ST-MRAM或STT-MRAM)作为替代或替换也不闪,可能开始……»阅读更多

中国揭开记忆计划
通过马克LaPedus——1月19日,2017 -评论:0

数十亿美元的政府资金的支持,中国在2014年发起了一项重大的行为来推动国内半导体、ic封装等电子行业。不过,到目前为止,结果是喜忧参半。在ic封装中国正在取得进展,但国家的努力推进国内逻辑和内存行业仍然是一个进展中的工作。事实上,中国尚未achi……»阅读更多

NAND的下一步计划是什么?
通过马克LaPedus——5月19日,2016 -评论:2

NAND闪存是一个关键的推动者,在今天的系统,但它是一个困难的业务。NAND闪存供应商需要雄厚的资金和强大的技术生存的竞争格局。展望未来,供应商在若干领域面临新的挑战。在一个方面,例如,整个NAND闪存市场目前处于低迷状态,由于软产品价格和温和的产能过剩。需求……»阅读更多

内存层次结构调整
通过马克LaPedus9月- 16,2015 -评论:0

这已经不是什么秘密,今天的内存芯片和存储设备都在努力跟上日益增长的数据处理需求。为了解决这个问题,芯片制造商一直在几个下一代内存类型。但大多数技术已经推迟或低于他们的承诺。但很多延误后,新一波的下一代非易失性记忆是最后…»阅读更多

的3 d与非坦途
通过马克LaPedus1月23日,2014 -评论:1

NAND闪存市场是动态的,但有时也可预测的。供应商往往推出相同的NAND闪存芯片,然后规模较小的几何图形。和NAND芯片价格上升和下降,根据供需方程在一个给定的点。展望未来,然而,NAND闪存市场预计将变得不那么可预测,如果不混乱,在一个新的和主要工艺……»阅读更多

3 d NAND之后是什么?
通过马克LaPedus- 9月19日,2013 -评论:0

由马克LaPedus平面NAND闪存在其持续扩展的腿,用3 d NAND将成为无处不在的2 d技术的继承人。举例来说,三星电子已经开始航运行业的首部3 d NAND闪存设备,24-level, 128 -千兆芯片。此外,微米和SK海力士不久将各自的3 d NAND闪存设备。但Toshiba-SanDisk二人瞧……»阅读更多

普遍的记忆落到地面
通过埃德·斯珀林9月- 20,2012 -评论:0

由马克LaPedus十年前,英特尔公司(Intel corp .)宣布在65纳米闪存将停止扩展,促使一种新的替代技术的必要性。思维的末日已经不远了flash,许多公司开始开发各种新一代内存类型,如3 d芯片,FeRAM, MRAM,相变内存(PCM)和ReRAM。许多这些技术最初称为“大学…»阅读更多

在快闪记忆体是什么?
通过埃德·斯珀林8月- 16,2012 -评论:0

由马克LaPedus多年来,许多人预计年底闪存扩展,尤其是NAND闪存,但技术继续克服困难,因为它向下移动过程曲线。不过,有迹象表明,浮栅结构在当今的闪存黔驴技穷了。浮置栅极看到是一个不受欢迎的削减控制栅电容耦合比。和…»阅读更多

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