标签:隧道场效应晶体管

新的记忆竞争者?
通过马克LaPedus- 2018年1月2日-评论

一种新的铁电存储器正在形成势头，它可能改变下一代存储器的格局。通常，铁电体与一种称为铁电ram (FRAMs)的存储类型有关。fram是上世纪90年代末由几家供应商推出的低功耗、非易失性器件，但它们也仅限于小众应用，无法扩展到130纳米以上。虽然……»阅读更多

改变芯片设计方向
通过埃德·斯珀林- 2017年1月26日-评论

PDF解决方案首席技术专家、卡内基梅隆大学电气和计算机工程教授Andrzej Strojwas(因对eda的杰出贡献而获得今年菲尔考夫曼奖)与《半导体工程》杂志坐下来讨论器件扩展，为什么半导体行业将开始围绕新的架构和封装进行细分，以及……»阅读更多

5nm、3nm的不确定性增加
通过马克LaPedus- 2016年12月19日-意见:4

随着几家芯片制造商加快10纳米finFET工艺的发展，7纳米工艺即将问世，5纳米及以上工艺的研发已经开始。事实上，一些公司已经在这个领域全速前进。[getentity id="22586" comment="TSMC"]最近宣布计划耗资157亿美元在台湾新建一家晶圆厂。拟议的晶圆厂旨在生产台积电的5nm和3nm工艺，这些工艺…»阅读更多

7nm和5nm会是什么样子?
通过马克LaPedus- 2015年7月23日-意见:0

今年7月，英特尔以一系列未披露的制造问题为由，将其10nm芯片和工艺技术的推出推迟到了2017年下半年。这大约比预期晚了6个多月。随着10nm的延迟，[getentity id="22846" e_name="Intel"]也将其工艺节奏从2年推到了2.5年。与此同时，其他铸造厂正在努力保持…»阅读更多

一对一:Aaron Thean
通过马克LaPedus- 2015年1月22日-意见:0

《半导体工程》杂志与Imec工艺技术副总裁兼逻辑器件研发项目主任Aaron Thean坐下来讨论了工艺技术、晶体管趋势和其他主题。SE:芯片制造商正在提高16nm/14nm的逻辑节点，10nm和7nm的研发正在进行中。目前10nm和7nm的时间表是什么?Thean: 10nm已经在路上了。我们将看到……»阅读更多

CMOS之后是什么?
通过马克LaPedus- 2014年1月24日-意见:3

芯片制造商继续将CMOS晶体管的尺寸扩大到更精细的几何形状，但问题是这种情况能持续多久。目前的想法是，CMOS晶体管可以在2021年至少扩展到3nm节点。然后，CMOS可能会耗尽气体，这就需要一种新的开关技术。那么基于cmos的晶体管之后还有什么呢?碳纳米管和石墨烯得到了最大的…»阅读更多

隧道场效应管在攀爬竞赛中出现
通过马克LaPedus- 2013年11月14日-评论:2

许多芯片制造商表示，在可预见的未来，传统CMOS技术仍将继续发展，可能会发展到5nm节点，甚至更远。事实上，芯片制造商已经在规划通往5nm节点的道路，但不用说，该行业在这条道路上面临着许多挑战。目前，5纳米的主要候选晶体管是通常的怀疑- iii - v finfet;门……»阅读更多

为高移动性finfet做好准备
通过马克LaPedus- 2013年2月21日-评论:0

2011年，集成电路行业进入了finFET时代，当时英特尔在竞争中脱颖而出，推出了22nm节点的新奇晶体管技术。英特尔希望在年底前将其第二代finFET器件提升到14纳米，并计划在2015年推出11纳米技术。希望缩小与英特尔的差距，硅晶圆代工厂正在加速他们的努力…»阅读更多

兄弟，你能借给我一个电子吗?
通过埃德·斯珀林- 2013年1月11日-意见:0

在半导体设计中，我们时不时地会走到一个十字路口，我们必须开始以不同的方式思考问题。在10纳米技术上，我们将被迫再次这样做。问题——或者机遇，取决于你的有利位置——这次涉及到电子。虽然它们在越来越细的电线中变得越来越难以管理，其中RC延迟会产生不必要的热量，而且在……»阅读更多

新术语，新问题
通过埃德·斯珀林- 2011年10月20日-评论:0

在遥远的研究前沿，市场营销很少。毕竟，这有什么意义呢?直到最近，这些东西大部分都是理论物理，甚至都没有考虑过产品。直到过去十年，我们才真正看到原子。我们必须把它们理论化。直到过去几年，我们才真正开始认真对待叠骰子。部……»阅读更多

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