中文 英语

标签:TFET

莫特场效应晶体管是什么?
通过凯瑟琳德比郡12月17日,2018 -评论:0

独特的二维半导体物理学提供了潜在的新型的开关传统mosfet的有用扩展到各种各样的新领域。一个MOSFET电压适用于门的一侧电容器。由此产生的电场通道改变能带结构和促进或阻碍流动的载体。设备缩小,g……»阅读更多

新的模式选项新兴
通过马克LaPedus——4月19日,2018 -评论:1

有几个工厂工具厂商推出下一波的自对准模式技术在转向新设备在10/7nm和超越。应用材料、林研究和电话开发自对准技术是基于各种各样的新方法。最新的方法是自对准模式技术与多色材料计划,这对我们的设计……»阅读更多

FinFETs之后是什么?
通过马克LaPedus——7月24日,2017 -评论:3

芯片制造商正在为他们的下一代技术基于10 nm和/或7海里finFETs,但它仍然不清楚finFET将持续多久,多久10 nm和7 nm节点将扩展为高端设备,接下来会发生什么。这个行业面临着大量的不确定性和挑战5 nm, 3 nm和超越。即使在今天,传统芯片扩展继续缓慢的过程…»阅读更多

TFETs削减的亚阈值摆
通过凯瑟琳德比郡3月- 16,2017 -评论:0

的一个主要障碍继续晶体管扩展是功耗。门的长度减少,亚阈值摆(SS)所需的栅电压变化的漏极电流-增加一个数量级。张秦、魏赵,圣母大学的Alan Seabaugh解释2006年,学生面临着理论在室温下至少60 mV /十年在传统莫…»阅读更多

接下来的晶体管
通过马克LaPedus1月23日,2017 -评论:1

集成电路产业正朝着不同的方向。最大的芯片制造商继续游行过程与芯片扩展节点,而另一些则向各种先进的包装方案。最重要的是,post-CMOS设备,神经形态芯片和量子计算都是在工作。半导体工程坐下来讨论这些技术与玛丽Semeri…»阅读更多

电力/性能:5月31日
通过杰西·艾伦——5月31日,2016 -评论:0

太阳能热光生电的麻省理工学院的一组研究人员演示了一个设备基于一个方法,使太阳能电池能够突破理论上预测上限多少阳光转换成电能。自1961年以来,我们已经了解到,有一个绝对的理论极限,称为Shockley-Queisser限制,如何在有效的传统太阳能电池……»阅读更多

制造业:12月30日
通过马克LaPedus12月- 30,2014 -评论:0

机械开关多年以来,该行业一直在谈论在低功耗应用程序中使用先进的机械开关。理论上,机械开关断开的泄漏为零,突然开/关开关功能和小电压波动。机械开关可以克服CMOS的能源效率限制。事实上,机械开关可以取代CMOS在某些应用…»阅读更多

在IEDM解开的谜团
通过马克LaPedus12月19日,2014 -评论:0

在某些方面,2014年IEEE国际电子设备会议(IEDM)比过去的事件也不例外。本周举行的活动,在旧金山,包括通常的和令人眼花缭乱的教程、会话、论文和面板。在前沿CMOS方面,例如,议题包括[getkc id = " 82 " kc_name = " 2.5 d "] / [getkc id =“42”kc_name =“3 d IC”)芯片,III-V材料,[getkc……»阅读更多

制造业:12月17日
通过马克LaPedus12月17日,2013 -评论:0

植入式TFETs在最近的IEEE国际电子设备会议(IEDM)在华盛顿,华盛顿特区,许多企业、研发机构和大学所描述的新突破,也许下一件大事在半导体隧道场效应晶体管(TFET)。目的为5 nm节点,TFETs陡峭的亚阈值斜率晶体管可以规模供应电压贝尔……»阅读更多

电力/性能:12月17日
通过安Mutschler12月17日,2013 -评论:0

低功耗隧穿晶体管,使高性能设备实现快速、低功耗计算设备等能源应用的智能传感器网络,植入式医疗电子产品和超便携计算,需要一种新的晶体管。为此,宾夕法尼亚州立大学的研究人员,国家标准与技术研究院和专业晶圆fo……»阅读更多

←旧的文章

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权©2013 - 2023 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu