业务、技术挑战增加光掩模


专家们表:半导体工程坐下来讨论光学和EUV光掩模问题,以及面具业务所面临的挑战,与直Hayashi DNP研究员;彼得•巴克MPC &掩模缺陷管理主任西门子数字行业软件;资深的技术战略总监布莱恩Kasprowicz球兰;和阿基》d2的首席执行官。f…»阅读更多

设计符合源面具优化(SMO)


源优化面具(SMO)需要延长使用193水浸没式光刻22纳米技术节点。尽管SMO正在积极推动这项技术在批量生产布局设计的影响没有被公开讨论。摘要布局设计风格的影响同时SMO的逻辑和存储器进行了研究。尤其是improvemen……»阅读更多

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