标签:受潮湿腐烂

面具/成熟的光刻技术问题节点
通过马克LaPedus10月- 22,2020 -评论:0

半导体工程坐下来讨论光刻和布莱恩Kasprowicz光掩模问题,技术总监和策略和一个杰出的成员在光电池的技术人员;哈里·莱文森HJL光刻技术负责人;资深技术专家平Nakayamada NuFlare;和阿基》d2的首席执行官。下面摘录的对话……»阅读更多

为什么EUV是如此困难
通过马克LaPedus11月17日,2016 -评论:23

多年来,极端紫外线(EUV)光刻是一种很有前途的技术,应该帮助启用高级芯片扩展。但经过多年的研发、EUV还没有在生产,尽管主要支持产业,巨大的资源和数十亿美元的资金。最近,然而,[gettech id = " 31045 "评论= " EUV "]光刻pos似乎指日可待…»阅读更多

驯服面具计量
通过马克LaPedus10月- 22,2015 -评论:0

多年来,集成电路行业担心一群光掩模的问题。掩模成本是头等大事,但面具复杂性,写时间和缺陷检测的其他关键问题是光学和EUV光掩模。面具计量,现在的科学测量的关键参数对面具,正在成为一个新的挑战。在这方面,面具制造商担心评论家……»阅读更多

面具供应链预备10纳米
通过迪伦麦格拉思- 9月17日,2015 -评论:0

随着半导体工业齿轮10 nm的逻辑节点现在可能在2017年下半年开始,光掩模供应链正准备应对相关的挑战,包括光掩模的复杂性急剧增加,写时间和数据量。10 nm节点需要更多的光掩模/掩码设置,打印的能力较小的和更复杂的功能,…»阅读更多

5原因EUV会或不会使用
通过迈克尔·瓦茨——3月19日,2015 -评论:1

挖掘这个问题时,有五个指标数在光刻工具:分辨率、吞吐量、缺陷、叠加,和可靠性。那么最好的数据告诉我们当前状态和现实的预后[gettech id = " 31045 "评论= " EUV "]。半导体工程提出了这个问题,马特·伯恩,高级经理模式研究[getentity id = " 22306 "通讯……»阅读更多

5破坏性掩模技术
通过马克LaPedus2月19日,2015 -评论:0

光掩模在每个节点复杂度和成本都在增加,从而创建一个在若干领域的挑战。在一个方面,例如,传统的单光束电子束工具正努力跟上面具的复杂性。因此,写时间和成本继续上升。面具的复杂性还影响其他地区的工具流,如检验、计量和维修。我…»阅读更多

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