标签:严格的设计规则

10 nm FinFETs崎岖不平的道路
通过马克LaPedus——5月21日,2015 -评论:0

铸造供应商目前增加16 nm / 14 nm (getkc id = " 185 " kc_name =“finFET”)市场的过程。供应商正在彼此的业务领域,虽然从平面迁移finFETs预计将是一个缓慢而昂贵的过程。然而,尽管在16 nm / 14纳米的挑战,供应商正在准备下一个战斗在铸造流行10 nm点头……»阅读更多

一对一:黑硅
通过凯瑟琳德比郡- 09年4月,2015 -评论:0

教授迈克尔·泰勒在加州大学圣地亚哥分校的研究小组正在研究如何利用黑硅电路优化设计的能源效率。他与半导体工程post-Dennard比例制度,能源效率从集成电路的数据中心,以及制造业方面如何帮助。以下是摘录的谈话。(F……»阅读更多

更多的问题之前
通过埃德·斯珀林- 8月25日,2014 -评论:0

半导体工程Lars Liebmann坐下来讨论未来的扩展问题,IBM研究员;董事总经理亚当品牌晶体管技术应用材料;卡里姆而在高通公司工程副总裁;和斯班纳,一个研究员在GlobalFoundries先进技术架构。SE:似乎有一些辩论这组是否我们或…»阅读更多

纳卯多重图像
通过埃德·斯珀林- 03年7月,2014 -评论:0

半导体工程坐下来讨论与林Kuang-Kuo DFM高级节点,三星电子的铸造设计支持主管;GlobalFoundries Jongwook Kye,光刻建模和架构研究员;大卫•阿伯克龙比高级项目经理导师图形物理验证方法;Ya-Chieh Lai、工程主管DFM / CLS硅验收和版本……»阅读更多

好模式流提前14日10纳米
通过安Mutschler- 2月21日,2013 -评论:0

由安Steffora Mutschler鉴于复杂性、收益率、电力和其他挑战前沿制造、半导体晶圆代工厂越来越被迫要求越来越严格的设计规则与每一个新的流程节点。“他们不断增加更多的设计规则和操作限制到特定的检查,消除角落制造业的情况下,他们看到一些变种…»阅读更多

提高水平的风险
通过埃德·斯珀林12月- 13,2012 -评论:0

半导体制造与设计坐下与导师图形-深色谈论双重模式,finFETs、设计规则和为什么设计制造先进的节点(DFM)突然变得如此受欢迎。(youtube视频= 3 ghvikyjzow)»阅读更多

严格的设计规则,带两个
通过埃德·斯珀林- 8月27日,2009 -评论:0

埃德·斯珀林在过去的几年中,限制性设计规则已经迫在眉睫了先进流程节点的最佳方式与最小re-spins芯片出门,准时和最少的钱。即使浸技术,193 nm波长激光束是完全太大创建面具用来创建复杂系统在32 nm芯片和贝尔……»阅读更多

软件成为主要区分因素
通过埃德·斯珀林- 10,2009 -评论:0

埃德·斯珀林软件一直是关键决定让一个芯片不同于另一个,但接下来的几个流程节点将承担新的意义。而不仅仅是定义函数,它还会在性能和功能的一个关键决定因素。背后的光刻技术的变化是一个瓶颈,通常不是大多数设计中…»阅读更多

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