标签:分辨率增强技术

面具/成熟的光刻技术问题节点
通过马克LaPedus10月- 22,2020 -评论:0

半导体工程坐下来讨论光刻和布莱恩Kasprowicz光掩模问题,技术总监和策略和一个杰出的成员在光电池的技术人员;哈里·莱文森HJL光刻技术负责人;资深技术专家平Nakayamada NuFlare;和阿基》d2的首席执行官。下面摘录的对话……»阅读更多

DSA重返得病的图片
通过马克LaPedus3月- 15,2018 -评论:1

由马克LaPedus和埃德·斯珀林定向自组装(DSA)正在回到模式不断挑战光刻技术在雷达屏幕上。英特尔继续有浓厚的兴趣(gettech id = " 31046 " t_name =“DSA”),而其他芯片制造商正在另一个硬看技术,根据多个业内人士。DSA不像传统[getkc id = " 80 " kc_name = "……»阅读更多

为什么EUV是如此困难
通过马克LaPedus11月17日,2016 -评论:23

多年来,极端紫外线(EUV)光刻是一种很有前途的技术,应该帮助启用高级芯片扩展。但经过多年的研发、EUV还没有在生产,尽管主要支持产业,巨大的资源和数十亿美元的资金。最近,然而,[gettech id = " 31045 "评论= " EUV "]光刻pos似乎指日可待…»阅读更多

问题和选项5海里
通过马克LaPedus——3月19日,2015 -评论:0

在铸造厂加大他们的流程为16 nm / 14 nm节点,供应商也忙于开发技术10 nm和超越。事实上,芯片制造商正在敲定10 nm制程产品,但他们仍然重7海里的技术方案。如果这还不够,IC制造商开始看选项5 nm和超越。今天,芯片制造商可以看到一个p…»阅读更多

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