标签:物理气相沉积

沉积和蚀刻技术来降低半导体金属线的阻力
通过蒂莫西·杨4月- 20,2023 -评论:0

铜的电阻率取决于它的晶体结构,孔隙体积,晶界和材料接口不匹配,它变得越来越重要的在较小的尺度上。铜的形成(铜)电线通常是由二氧化硅材料蚀刻槽模式在性能使用沟腐蚀过程,随后通过波纹与铜填充沟流。不幸的是,这种冰毒……»阅读更多

打破了2 nm障碍
通过马克LaPedus- 2月18日,2021 -评论:4

芯片制造商继续进步与晶体管技术的最新流程节点,但这些结构中的互联正在努力跟上。芯片行业正在几个技术解决互连的瓶颈,但许多这些解决方案还在研发,不得出现有一段时间了,可能直到2 nm,预计t…»阅读更多

构建一个MRAM数组
通过凯瑟琳德比郡- 10月17日,2019 -评论:2

MRAM也逐渐吸引各种各样的设计作为一个中层类型的内存,但为什么花了这么长时间才给市场带来该内存。一个典型的磁阻的RAM架构基于CoFeB磁层,采用隧道势垒。参考层应该零净磁化,以确保它不影响免费躺的方向……»阅读更多

可变性和成本控制在3海里
通过埃德·斯珀林——5月22日,2019 -评论:1

执行副总裁兼首席技术官理查德•Gottscho林研究,坐下来与半导体工程讨论如何利用更多的数据从传感器制造设备,迁移到新流程节点,啤酒和材料的发展,对控制成本有很大的影响。以下是摘录的谈话。SE: int添加多个传感器……»阅读更多

电镀IC包
通过马克LaPedus4月- 10,2017 -评论:2

电化学沉积(ECD)集成电路包装设备市场升温2.5 d, 3 d和扇出技术开始增加。[getentity id = " 22817 " e_name =“应用材料公司”)最近推出了一个儿童早期开发系统集成电路包装。此外,林研究、电话和其他增长但竞争激烈竞争ECD包装设备市场。ECD-sometimes称为pl……»阅读更多

MEMS的麻烦
通过埃德·斯珀林- 5月25日,2016 -评论:0

物联网的出现将开放的一系列新的机遇MEMS-based传感器,但芯片制造商进行谨慎。有很多原因限制。微机电系统是很难设计、制造和测试,在MEMS系统最初引发的乐观,这个市场将命令同样的保费analo……»阅读更多

7和5 nm真的会发生吗?
通过马克LaPedus7月- 14,2014 -评论:2

今天的硅基finFETs可能失去势头在10纳米。如果或当芯片制造商超越10 nm, IC供应商将需要一个新的晶体管架构。III-V finFETs, gate-all-around场效应晶体管,量子井finFETs, SOI finFETs和垂直纳米线只是几个未来的晶体管候选人在7和5 nm。从技术上讲,这是可能的制造晶体管的部分……»阅读更多

覆盖工具控制电迁移
通过马克LaPedus- 7月31日,2012 -评论:0

由马克LaPedus转向28 nm节点和超越将人们关注的焦点带回到另一个半导体制造的互连。在互连芯片扩展,最大的问题是阻容(RC)。另一个,有时忘记,问题是电迁移。“设备扩展、电迁移变得更糟”丹尼尔•埃德尔斯坦表示一个IBM的同事和经理是…»阅读更多

挑战山的互连
通过马克LaPedus——6月26日,2012 -评论:0

由马克LaPedus有大量芯片挑战20 nm节点。当被问及是什么今天尖端芯片制造商面临的最大挑战之一,加里•巴顿半导体研发中心副总裁在IBM,说这可以归结为两个主要障碍:光刻技术和互连。光刻是有据可查的问题....»阅读更多

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