探索世界的闪存:串行,双,四,八进制接口


由Dharini SubashChandran和Manoj Kachadiya数字数据存储、闪存已经成为一个不可或缺的技术。非易失性闪存设备存储解决方案,可以保留数据即使没有能力。被广泛应用于各种应用程序,包括智能手机、数码相机、USB驱动器,固态硬盘(ssd)。在这篇文章中,我们将delv……»阅读更多

如何eMRAM地址Advanced-Node soc的权力困境


拉胡尔。祖卡罗尔和Bhavana Chaurasia我们聪明,互联,数据驱动的世界需要更多的计算和能力。考虑到我们现在有各种各样的智能应用程序。汽车可以使用本地和远程运输乘客目的地的人工智能决策。机器人吸尘器保持家里整洁,smartwatches可以检测下降和紧急服务电话。嗨…»阅读更多

基于横杆的Compute-In-Memory合作设计视图


新评论篇题为“计算神经网络与非易失性内存元素:从合作设计的角度回顾”被阿贡国家实验室的研究人员发表,普渡大学,印度科技学院的马德拉斯。”一个总体合作设计的观点,本文基于评估使用横杆的CIM神经网络,连接材料适当的……»阅读更多

研究:10月18日


模块化的智能芯片工程师在麻省理工学院(MIT),哈佛大学,斯坦福大学,劳伦斯伯克利国家实验室,韩国科学技术研究所和清华大学创建了一个模块化的方法来构建可叠起堆放的,可重构的人工智能芯片。设计包括传感和处理元素的互层,随着led t…»阅读更多

在一个叫什么名字(空间)?优化固态硬盘控制器性能和验证


固态硬盘(ssd)已经成为一种很有前途的解决方案今天和明天的巨大的数据传输和存储的要求。ssd本身是不断发展的,升级的关键组件来提供更高的访问速度。创建这样一个组件NVMe规范部门的非易失性内存(NVM)俗称是什么……»阅读更多

超低功耗硬件加速器的框架使用NNs嵌入时间序列分类


使用神经网络在嵌入式应用程序(NNs)分类任务,重要的是不仅减少神经网络的功耗计算,但整个系统。优化方法各个部分存在,如量化神经网络或模拟计算的算术运算。然而,没有整体的一个完整的嵌入式系统设计方法……»阅读更多

SOT-MRAM挑战SRAM


时代新型非易失性存储器(NVM)技术,另一个变化将加入竞争- MRAM的新版本称为在手性力矩,或SOT-MRAM。这个一个特别有趣的是,有一天它可以取代SRAM阵列在systems-on-chip (soc)和其他集成电路。SOT-MRAM技术的关键优势是公关……»阅读更多

MRAM在多个方向发展


磁阻的随机存取存储器(MRAM)是为数不多的几个新的非易失性内存技术针对广泛的商业可用性,但设计MRAM芯片和系统不是简单地添加其他类型的内存。MRAM不是all-things-for-all-applications技术。需要调整的目的。mram针对flash也不针对sram,和副更小……»阅读更多

九有效特征NVMe验证IP PCIe-Based SSD存储设备


非易失性内存表达(NVMe)是一种新的软件界面优化作为PCIe固态硬盘(SSD)。本文概述了NVMe规范和检查它的一些关键特性。我们将讨论它的利弊,相比其他传统技术,指出关键领域集中在验证。您将了解如何NVMe,验证IP……»阅读更多

FeFETs带来希望和挑战


铁电场效应晶体管(FeFETs)和内存(FeRAM)产生高水平的研究团体的兴趣。基于物理机制尚未商业化利用,他们加入一些有趣的新物理思想,在商业化的不同阶段。“FeRAM很有前途,但就像所有承诺内存技术——它需要一段时间得到b…»阅读更多

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