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标签:中国科学院微电子研究所

硅热光开关与石墨烯加热器工作在中红外波段
通过技术文件链接- 2022年3月30日-意见:0

摘要中红外(MIR, 2-20 μm)波段是集成光子学在片上光谱化学传感和光通信等许多应用领域的重要应用。热光开关是MIR波段大规模集成光子电路的重要组成部分。然而，目前的技术需要较厚的熔覆层，较高的驱动电压或可能引入高电压。»阅读更多

使puf更加安全
通过布来安梅奥- 2022年1月6日-意见:0

由于安全性已成为大多数系统的必备条件，硬件信任根(hrot)已开始出现在许多芯片中。对于HRoT来说，验证和创建密钥的能力至关重要——理想情况下，从一个不可查看和不可变的可靠来源创建密钥。“我们看到信任的硬件根源部署在两种使用模型中——提供安全启动系统的基础，以及支持安全启动系统。»阅读更多

四周期垂直堆叠SiGe/Si沟道FinFET的制备及其电特性
通过技术文件链接- 2021年8月28日-评论:0

李勇，赵峰，程旭，刘宏，昝勇，李军，张强，吴震，罗军，王伟。四周期垂直堆叠SiGe/Si通道FinFET的制备及其电特性。纳米材料(巴塞尔)。2021年6月28日;11(7):1689。doi: 10.3390 / nano11071689。PMID: 34203194;PMCID: PMC8307669。在这里找到技术论文。摘要:本论文针对外延厚度的限制和外延厚度的高…»阅读更多

一种具有8层堆叠垂直RRAM和0.014%误码率的抗机器学习3D PUF，用于物联网安全应用
通过技术文件链接- 2021年3月3日-意见:0

摘要:“在这项工作中，我们提出并演示了一种具有单元内稳定方案的多层三维垂直RRAM (VRRAM) PUF，以提高成本效率和可靠性。研制了具有良好均匀性和>10 7耐久性能的8层VRRAM阵列。除了RRAM电阻的变化外，由于寄生IR，获得了增强的随机性…»阅读更多

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