在FEOL创建空隙减少寄生电容


减少门金属之间的寄生电容和晶体管的源/漏接触可以减少设备切换延迟。减少寄生电容的一个方法是降低材料的有效介电常数之间的层门和源/漏。这可以通过创建空隙介质材料在这个位置。这种类型的工作一直做…»阅读更多

制造问题,更多的测试


美国首席执行官道格拉斯Lefever效果显著,坐下来谈论变化与半导体工程测试中,先进的包装的影响,整个流程和业务变化发生。以下是摘录的讨论。SE:有什么大的变化在测试?Lefever:不是拐点,而更像是从代数,微积分的……»阅读更多

与工厂循环次数


从平面设备转向finFETs使芯片制造商能够扩展他们的流程和设备从16 nm / 14 nm和超越,但每个节点的行业面临着几个挑战。成本和技术问题是显而易见的挑战。此外,循环时间关键但不公开的一部分chip-scaling方程还正在增加在每个转折点,为芯片制造商创造更多的焦虑和…»阅读更多

创建一个精确的FEOL CMP模型


鲁本Ghulghazaryan、杰夫•威尔逊和艾哈迈德AbouZeid几十年来,半导体制造商使用化学-机械抛光(CMP)作为主要技术平滑和电介质和金属层的水准(整平)。CMP建模允许设计和制造团队找到并修复潜在的整平问题在实际的CMP过程应用于……»阅读更多

再次填充生态系统的发展


几年前,我们写满的生态系统,以及20纳米技术如何铸造要求更严格的关系,设计师和EDA供应商。球员们保持不变时,有一些有趣的填充技术的变化和使用作为设计师搬到更小的技术。什么是继续每个节点设计的额外的复杂性弗洛……»阅读更多

离子注入机市场升温


离子注入机市场已经稳定,如果不是昏昏欲睡,业务。最后的大事件发生在2011年,当应用材料重新进入离子离子注入机市场通过收购瓦里安,这些工具的全球领先的供应商。收购了离子注入机业务的应用材料占据80%的市场份额,与其他玩家战斗的面包屑。但又一年……»阅读更多

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