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全硅300mm集成工艺中可调谐耦合的均匀自旋量子比特器件


摘要:更大的电子自旋量子比特阵列需要在制造和器件均匀性方面进行根本性的改进。在这里,我们展示了从300K到mK温度的优秀量子比特器件均匀性和可调性。这是首次通过在“全硅”和光刻柔性300mm流中集成重叠多晶硅基栅极堆栈实现的. ...»阅读更多

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