文摘:
更大的电子自旋量子比特阵列需要在制造和器件均匀性方面进行根本性的改进。在这里，我们展示了从300K到mK温度的优秀量子比特器件均匀性和可调性。这是首次通过在“全硅”和光刻柔性300mm流中集成重叠的多晶硅基栅极堆栈实现的。低无序Si/ sio2的10K霍尔迁移率为1.5•104 cm2 /Vs。采用控制良好的低电荷噪声(3.6μeV/Hz−−−√在1hz时)的传感器，可感应到最后一个电子。在近20年的时间里(2-100 GHz)，我们展示了出色的和可重复的点间耦合控制。我们展示了自旋操纵和单发自旋读数，提取了约150 μ eV的山谷分裂能量。这些低无序、均匀的量子比特器件和300mm晶圆集成为快速扩展到大型量子处理器铺平了道路。”
找到技术论文在这里。公布的06/2021。
N. I. Dumoulin Stuyck等，“全硅300mm集成工艺中具有可调谐耦合的均匀自旋量子比特器件”，2021年VLSI技术研讨会，2021年，第1-2页。
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