标签:极端的紫外线

在下面3 nm和EUV挑战和未知
通过马克LaPedus11月19日,2020 -评论:1

芯片行业正在准备下一阶段的极端紫外线(EUV)光刻3海里,但挑战和未知继续堆积起来。在研发,供应商正在研究各种新EUV技术,如扫描仪、抗拒和面具。这些将需要达到未来流程节点,但他们更复杂和昂贵的比当前EUV亲……»阅读更多

平选择稀疏后10纳米
通过马克LaPedus10月- 16,2014 -评论:0

尖端铸造厂增加他们16 nm / 14 nm逻辑流程、研发10 nm和7海里。除非有重大突破在[getkc id = " 80 "评论=“蚀刻”],芯片制造商和多个成像将使用193 nm液浸式光刻16 nm / 14 nm和10纳米。现在,芯片制造商都在关注7纳米光刻技术的选择。和之前一样,选项包括通常的嫌疑人——[gettech id = "……»阅读更多

数十亿的投资
通过马克LaPedus- 4月17日,2014 -评论:4

多年来,新一代(getkc id = " 80 " kc_name =“蚀刻”](天然气凝析液)遭受各种挫折和延迟。但直到最近,该行业基本上耸耸肩肩,对天然气凝析液的延迟表示相对较少的焦虑。毕竟,光学光刻技术所做的工作在工厂和天然气凝析液最终会实现。然而,今天,心情是不同的。事实上,th……»阅读更多

EUV到达一个十字路口
通过马克LaPedus3月- 20,2014 -评论:3

[gettech id = " 31045 "评论= " EUV "] (EUV) [getkc id = " 80 "评论=“蚀刻”)是在一个十字路口。2014年代表技术的关键一年。事实上,它可能对EUV回答一个紧迫的问题:工作或不吗?现在还为时过早,决心,但比以往有更多的不确定性oft-delayed技术。最初的目的是为65 nm节点…»阅读更多

等待下一代光刻技术
通过马克LaPedus1月23日,2014 -评论:2

近30年前,光学光刻应该撞墙魔法1微米的障碍,促使新模式的必要性电子束直写和x射线光刻等技术。然而,当时行业能够推动光学光刻卷芯片生产1微米的节点。反过来,这有效地杀死了直写e -…»阅读更多

光学光刻技术,取两个
通过马克LaPedus- 2月21日,2013 -评论:0

由马克LaPedus业内公开的秘密。极端紫外线(EUV)光刻错过的初始阶段10 nm逻辑和1 xnm NAND闪存节点。芯片制造商希望插入EUV 10 nm的后期或7海里,但供应商并不指望EUV在短期内和准备他们的后备计划。除非一个突破与EUV或其他技术,集成电路……»阅读更多

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