量子阱间带半导体激光器高度容忍混乱


抽象”III-V半导体激光器集成Si-based光子产业平台都热切期待的大规模应用,从连接到芯片上的感应。目前的理解是,只有量子点激光器可以合理地运作产生的位错密度高III-V-on-Si异质外延,导致高无辐射载体重组……»阅读更多

锗wedge-FETs撬不适应环境的混乱


任何替代渠道集成方法必须考虑硅和其他通道材料晶格不匹配。一些计划,比如IMEC的选择性外延,认为晶格失配一个障碍,寻找方法来减少它的影响。这种观点肯定有优点:不合群混乱显著降低晶体管性能。然而,早在2011年Shu-Ha……»阅读更多

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