铜互联扩展到2海里


晶体管扩展达到一个临界点3海里,在nanosheet场效应晶体管可能会取代finFETs满足性能,力量,区域,和成本(PPAC)的目标。一个重要体系结构变化是同样的评价对铜互联2 nm,此举将重新配置权力的方式交付给晶体管。这种方法依赖于所谓埋权力rails (BPRs)和…»阅读更多

Nanosheets引入附加磁场效应晶体管(CFETs)


2019年11月在我们的博客[1],我们讨论了使用虚拟制造(SEMulator3D)基准不同的流程集成选项Complementary-FET (CFET)制造。CFET CMOS架构,提出了2018年由imec [2]。该架构包含p -和n-MOSFET结构建立在彼此之上,而不是让他们并排。在我们以前的博客,我们r…»阅读更多

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