铜互联扩展到2海里


晶体管扩展达到一个临界点3海里,在nanosheet场效应晶体管可能会取代finFETs满足性能,力量,区域,和成本(PPAC)的目标。一个重要体系结构变化是同样的评价对铜互联2 nm,此举将重新配置权力的方式交付给晶体管。这种方法依赖于所谓埋权力rails (BPRs)和…»阅读更多

选择性沉积在哪里?


多年来,该行业一直致力于一个名为area-selective沉积的先进技术对芯片生产5 nm和超越。Area-selective沉积,先进的自对准模式技术,仍在研发与技术在一系列挑战。但更高级形式的技术开始取得一些进展,可能从洛杉矶指日可待…»阅读更多

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