标签:完全耗尽的绝缘体

晶体管交错的效果在骰子拖鞋22纳米FD SOI技术节点
通过技术论文链接- 4月25日,2022 -评论:0

萨斯喀彻温大学的新研究论文,NSERC和思科大学资助的研究项目。抽象的“完全耗尽绝缘体上硅(FD SOI)技术节点提供更好的抵抗单一事件令比大部分技术,但令仍可能发生在纳米特征尺寸,和额外的硬化技术应该空洞……»阅读更多

FD-SOI技术的优点
通过迈克尔Hargrove1月18日,2018 -评论:0

如果我没记错的话,这是在1989年的设备研究会议的潜在优点SOI(绝缘体上硅)技术讨论了晚上在激烈的小组讨论。小组讨论,有许多倡导SOI,以及许多反对者。我并没有真的认为更多关于SOI技术直到年代中期,当我坐在一个会议,其中t…»阅读更多

28日,20 nm节点要求先进的电源管理
通过埃德·斯珀林7月- 12,2012 -评论:0

由安Steffora Mutschler 28的复杂性和20 nm设计达到预期收益率与所需的功率和性能在设计团队的肩膀上,先进的电源管理技术是必须的。Sub-clock权力控制、时钟电源门结构,适应身体的偏见和其他技术正在成为可能。Sub-Clock权力控制远离一个新的techniqu……»阅读更多

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