如何获得最佳性能和最低的功率与普遍的闪存。
电平普遍闪存(UFS)已经成为了移动存储标准的选择对于今天的高端智能手机和平板电脑主要是由于规范的性能和能力优于现有的其他解决方案。这些优势成为关键,以满足最终用户的要求更高的响应能力和增加功能。例如,终端用户期望传输和接收高分辨率的照片和视频在几秒钟内在高容量的文件和其他操作。
点击阅读更多在这里。
评论*
的名字*(注意:这个名字会显示公开)
电子邮件*(这将不公开显示)
Δ
技术和业务问题意味着它不会取代EUV,但光子学、生物技术和其他市场提供足够的增长空间。
Gate-all-around将取代finFET,但它会产生一系列的挑战和未知。
IBM GlobalFoundries起诉;欧盟的47美元b芯片计划;中国芯片产出下降;空间打造开放我们设施;首先LPDDR闪存;可变形的纳米电子设备;桌面三维x光显微镜。
检查、平衡和未知数AI /毫升的半导体的设计。
高速度和低热量使这个技术至关重要,但它是极其复杂和人才是很难找到和火车。
少低精度等于权力,但标准要求做这项工作。
新的应用程序需要深刻理解不同类型的DRAM的权衡。
现有的工具可以用于RISC-V,但他们可能不是最有效或高效。还有什么需要?
行业取得了理解老龄化如何影响可靠性,但更多的变量很难修复。
技术和业务挑战依然存在,但势头正在建设。
一个处理器的验证是更复杂的比同等规模的ASIC,和RISC-V处理器把这一层复杂性。
新的内存标准增加了巨大的好处,但它仍然是昂贵和复杂。这可能会改变。
留下一个回复