看看即将到来的挑战获得竞争力的硅技术一代出类拔萃。
本文认为硅技术获得竞争的挑战即将到来的一代的soc集成电路。这表明平面完全枯竭的技术值得严肃的兴趣。概述了一些实现的选择后,电路级的基准测试结果以及一些重要的设计方面。发现这项技术结合高性能、功率效率和成本效益,是一个非常有吸引力的候选人为移动多媒体soc和消费者的需求开始28 nm节点和可伸缩的14 nm。
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第一个系统,与生产计划于2025年;hyper-NA跟随下一个十年。
为什么这个25岁的首选技术可能是内存前沿设计和在汽车应用。
怎样才能实现大规模定制的边缘,高性能和低功耗。
市场机会推动需求更好的办法以减少缺陷碳化硅功率集成电路。
即将到来的版本的高带宽内存热有挑战性,但帮助可能。
传感器技术仍在不断发展,和功能正在被讨论。
无线技术正变得更快和更可靠的,但它也变得越来越有挑战性,支持所有必要的协议。
学术界、业界伙伴关系斜坡来诱使大学生硬件工程。
包装和检验公司吸引资金;124年初创公司筹集超过23亿美元。
增加复杂性,崩溃,继续功能收缩增加问题;监督不足。
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