光吸收技术篇题为“实现高于集团III-V半导体与集成photon-trapping超速薄硅光电探测器表面结构”由加州大学戴维斯分校的研究人员发表W&WSens设备公司,加州大学圣克鲁斯。
“硅的光敏性本质上是非常低的可见的电磁频谱,它除了在近红外波长800 nm迅速下降。我们有实验展示了一种技术利用photon-trapping表面结构显示惊人的改善1-μm-thin硅的光吸收,超越固有的吸收效率为广谱砷化镓。photon-trapping结构允许通常入射光的弯曲几乎90度转变成横向传播模式在硅平面。因此,光的传播长度增加,导致多个数量级提高吸收效率的光电探测器。这高吸收率的现象是由有限差分时域分析中,我们展示了一个增强的光子态密度而大幅降低光的光群速度相比,硅没有photon-trapping结构,从而显著增强件轻松事交互。我们的模拟预测一个增强吸收效率的光电探测器设计使用30 - 100 -纳米硅薄膜与CMOS兼容的电子产品。尽管很薄吸附层,这样的photon-trapping结构可以使高效和高速光电探测器需要超快的计算机网络、数据通信、成像系统,有可能彻底改变和光电集成芯片上的逻辑。”
找到技术论文。2023年7月出版。
Qarony Wayesh,艾哈迈德·s . Mayet Ekaterina Ponizovskaya迪瓦恩Soroush Ghandiparsi,塞萨尔Bartolo-Perez,艾哈迈德Ahasan——Amita Rawat et al。”实现高于集团III-V半导体光吸收超快的薄硅光电探测器和集成photon-trapping表面结构。“先进光子学Nexus 2,没有。5 (2023):056001 - 056001。
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