仔细看看当前状态的内存制造。
艾德丽安唐尼和吉姆Feldhan
2016年6月,内存市场走出低迷后扭转其12个月的ASP下降。从那时起,我们已经看到了asp在DRAM和NAND强劲反弹。导致这次复苏是内存内容/设备的日益增长的需求在所有末端市场结合更多的控制资本投资在过去的几年中。内存收入激增推动半导体行业两位数的增长速度,但也有风险。
从2012年到2016年,该行业的资本支出内存增加资本支出总额的百分之一。今天,资本支出是由需要添加新工艺技术的能力,有更多的流程步骤。3 d NAND的生产需要更多的设备,也导致增加资本支出。在2012年,那一年只有30%的支出是用于内存。内存部分逐年增加,到2015年达到39%,回落到2016年的36%。Semico预计内存的百分比的投资将会恢复到2017年的39%。(见下面的图)。
爆发的资本支出公司揭示了一些有趣的趋势。早在2012年,三星代表内存资本支出的56%。到2016年,三星只占内存开支的37%。SK海力士是第二个最大的买家在2012年20.3%,2016年降至第三大21.6%。Korean-based公司占76%的总内存支出在2012年和2016年的58.8%。在2012年至2016年之间,微米、东芝、英特尔和西部数据(SanDisk)增加了支出。英特尔也在那段时间内,记录在内存中增长最快的资本支出的CAGR为29%,主要是由于其小开始基础。英特尔的支出预计将增加在2017年该公司专注于3 d NAND和XPoint记忆,特别是支持计算性能驱动微处理器的销售。
微米的支出增长率最快是第二CAGR为28.7%扩展和升级的晶圆厂。2016年,微米第二大手脚,2017年,他们将再次回落至第三,排在SK海力士。SK海力士经历了9.4% CAGR为其资本支出。总数的百分之一,SK海力士在19%至24%之间徘徊了2017年预计为21.4%。
在2012 - 2016之间,东芝和WD (SanDisk)他们的支出增加了13.7%和12.3%的复合年增长率。下表描述了上述的叙述。
当然,我们不能忘记在中国的投资。有几个DRAM和NAND晶圆厂计划增加产量在2018年末或2019年。新玩家总是破坏现状的一种方式。
增加内存产品的平均销售价格的主要因素是推动近期收入增长。内存价格触及低2016年6月,今年年底和DRAM价格增加了30.8%。同样,在年底前NAND闪存市场价格上涨了44.2%。在2017年上半年价格继续上涨。只是今年,DRAM asp 2016年12月以来增加了47.2%。NAND ASP增长有所放缓,但仍在2016年12月以来增加了20.6%。
除了保守的晶圆工厂扩张和记忆内容的日益增长的需求,有一些制造业的趋势,导致增加的产能利用率。迁移到更精细的几何图形和更高的密度DRAM设计需要更多的流程步骤,更多的金属层和多模式。因此,晶圆工厂长,导致更少的晶片每月出局。2017年,8 gb的设备将是最大体积每一点成本最低的跑步者在DRAM产品家庭。
NAND闪存制造商继续过渡到3 d NAND闪存。的实现3 d NAND闪存设备供应商的福音。3 d与非结构需要更多的腐蚀和沉积步骤通常导致更多的时间在工厂。从一些角度来看,3 d NAND晶圆厂可以生产类似的,甚至比平面部分工厂。
虽然技术的不断改善和工厂产能继续扩大,某种程度的风险总是织机行业,无论是地震或政治紧张局势。由于近期地缘政治不稳定,Semico又看看多少能力位于韩国。使用Semico工厂数据库,Semico可以画出所有的世界各地的晶圆厂的位置。世界上多少的内存容量坐落在韩国吗?
都在韩国三星和海力士晶圆厂的经营。下面的地图显示了大多数半导体晶圆厂的位置在韩国,突显出属于三星和海力士内存芯片。S =三星、H = SK海力士和数量等于晶圆厂的数量在这个位置(S - 1意味着一个三星工厂位置)。三星8晶圆厂和5晶圆厂计划在韩国华城的记忆,虽然其中之一是品牌new-S3/17阶段2。还有一个全新的枚巨型三星3 d在平泽市NAND芯片厂。SK海力士有3个操作晶圆厂和1拟建工厂(1。SK海力士还3操作和1所拟建工厂。总内存晶圆产能对韩国是世界上三分之二的总内存生产。
所有这些晶圆厂都是在北韩老炮兵或相对较新的300毫米火箭发射器,可以同时火12火箭高爆炸和燃烧或化学弹头。
而朝鲜攻击等级偏低的概率,当前的形势很紧张。有趣的也是,美国军方重新安置美国8所示th军队的基地在首尔在平泽市营汉弗莱斯,首尔南方。
艾德丽安唐尼是技术研究主任,制造业Semico研究。
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N韩国能做比这更糟。
想象如果他们目标晶圆厂在台湾,韩国甚至日本和新加坡。
以下十年全球经济会很暗。食物短缺会杀死数百万,可能会引发其他主要亚洲的冲突在短期内。
这是第二糟糕的情况下,在生物武器,但比十二个核武器更具破坏性。