内存缓冲区芯片继续发展随着价格的下降和出口增加。
服务器DIMM DDR3芯片(800 Mbps)在2006年首次上市,开始增加。的时候DDR4服务器DIMM芯片组(2133)从2014年起开始发货,DDR3服务器DIMM芯片组涵盖以下五个速度:800年,1066年,1333年、1600年和1866年。
在过去的几年,DDR4缓冲芯片出货量已经跨越的体积,与DDR4芯片组的速度将达到3200到2018年或2019年。除了增加带宽和密度,DDR4缓冲芯片提供数据中心的关键好处先进信号均衡。
例如,Rambus注册时钟驱动(RCD)和数据缓冲区(DB)芯片配有先进的判决反馈均衡器(王凯)通常用于通信行业10 g或更高的并行转换器。本质上,教育部电路允许rcd和星展银行经营与更大的利润率典型系统——以及在具有挑战性的环境中旧芯片容易故障或未能达到更高的速度。
装备两个芯片(简称RCD和DB)和教育部功能允许DIMM芯片组将命令地址总线的限制以及DQ总线。此外,教育部3200年电路使整体运行速度,超过原行业预期这一代的缓冲芯片。同样重要的是要强调,信号完整性问题变得越来越普遍的带宽、密度和速度增加。幸运的是,其他市场(如通信)的经验教训将合并DDR技术来帮助推动单端总线限制。
正如我们上面所讨论的,短暂DDR4缓冲芯片出货量增加为DDR4硅的价格继续下降。这是因为数据中心只升级内存子系统的经济性能/美元满足一定的阈值。对大多数数据中心来说,这意味着从DDR3在DDR4 DDR4 - 2400代——价格达到平价DDR3 DRAM和DDR4 DRAM之间。许多行业巨头已经或在切换的过程中转变为DDR4作为他们的主要服务器内存类型。期待不久的将来,增加速度和降低价格将进一步加速采用DDR4服务器数据中心客户DIMM芯片组。
总之,内存缓冲芯片继续稳步发展,说明了技术进步的数量(如DFE)从一代硅。服务器DIMM芯片组的重要性只会继续增加,随着行业试图维持摩尔定律和最大化的局限性冯诺依曼体系结构在变化的数据中心。
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