新技术论文题为“Flash-Cosmos:在Flash中大部分使用固有的逐位操作运算能力的NAND闪存”由瑞士苏黎世联邦理工学院的研究人员发表POSTECH LIRMM /大学。蒙彼利埃/ CNRS和庆北国立大学。
找到这里的技术论文(2022年9月出版)和YouTube讲座有关在这里。
“我们建议Flash-Cosmos (Flash与一次性Multi-Operand传感计算),一个新的在Flash中处理技术,显著提高散装逐位操作的性能和能源效率,同时提供可靠性高。Flash-Cosmos介绍两个关键机制,可以很容易地支持现代NAND闪存芯片:(i) Multi-Wordline传感(多工作站系统),使大部分逐位操作大量的操作数与一个感应操作,和(2)增强SLC-mode编程(ESP),使可靠的计算在NAND闪存。我们将演示执行批量逐位操作的可行性与可靠性高Flash-Cosmos通过测试160真正的3 d NAND闪存芯片。我们的评估显示,Flash-Cosmos提高平均性能和能源效率3.5 x / 32和3.3 x / 95 x,分别在最先进的在flash中/外仓处理技术在三个真实的应用程序中,”国家。
arXiv: 2209.05566“v1: Jisung公园,Roknoddin阿齐兹,Geraldo f·奥利维拉,穆罕默德·Sadrosadati Rakesh Nadig,大卫•新生胡安Gomez-Luna Myungsuk Kim偏向Mutlu。
IBM GlobalFoundries起诉;欧盟的47美元b芯片计划;中国芯片产出下降;空间打造开放我们设施;首先LPDDR闪存;可变形的纳米电子设备;桌面三维x光显微镜。
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