标签:x射线计量

CDSAXS里程碑和未来增长X-ray-Based计量的三维纳米结构重要的芯片行业
通过技术论文链接4月- 20,2023 -评论:0

新技术论文题为“审查的关键发展的里程碑重要尺寸小角x射线散射在国家标准与技术研究所的。”Abstract: "An x-ray scattering based metrology was conceived over 20 years ago as part of a collaboration between National Institute of Standards and Technology (NIST) and International Business Machines Corporat...»阅读更多

周评:制造、测试
通过凯伦·海曼- 09年12月,2022 -评论:2

1400多名参加者在本周的IEDM,庆祝75周年的晶体管,显然是专注于制造下一个75年的半导体甚至比过去更引人注目。英特尔、三星、台积电、意法半导体、GlobalFoundries imec宣布突破设备,材料,甚至集成方法。这些包括:英特尔展示先进……»阅读更多

可靠性成本越来越难
通过埃德·斯珀林和苏珊兰博- 08年6月,2021 -评论:0

确保可靠性芯片正变得更加复杂和更昂贵,将左设计周期和右场。但这些成本也越来越难以定义和跟踪,大大不同从一个设计下一个基于流程节点,包技术、细分市场,工厂或OSAT使用。选项的数量增加fo…»阅读更多

计量挑战Gate-All-Around
通过马克LaPedus- 4月16日,2020 -评论:3

计量被证明是一个重大挑战的铸造厂工作流程gate-all-around 3纳米场效应晶体管。计量是测量和描述结构的艺术装置。测量和描述结构设备变得更加困难和昂贵的在每一个新节点,并引入新的类型的晶体管是更加困难。电动汽车……»阅读更多

x射线检测隐藏的失效模式
通过三角洲,技术力量的一部分- 11年6月,2019 -评论:0

功能测试和外观检查使用立体显微镜是今天的“标准”质量控制技术描述产量和workmanship-related问题集成电路制造和电子产品组装。当前使用的测试methodologies-such ipc - tm - 650严重依赖视觉检查。视觉检测的缺陷仍然是困难的,因为样品需要检查……»阅读更多

我们可以衡量下一代FinFETs吗?
通过马克LaPedus——11月21日,2016 -评论:6

后增加各自16 nm / 14 nm finFET流程,芯片制造商正在向10 nm和/或7海里,在研发5海里。但当他们向下移动过程路线图,他们将面临一系列新的工厂的挑战。除了光刻和互联,计量。计量、测量的科学是用来描述小电影和结构。它有助于提高彝族……»阅读更多

制造业:4月26日
通过马克LaPedus——4月26日,2016 -评论:0

多波束检验一段时间,新加坡启动Maglen发展多波束电子束检查工具技术。现在,Maglen已经达到了两个里程碑。首先,它设计了一个完整的列测试站。该试验台包括机械和软件列。第二个里程碑也是重要的。“我们也把梁和获得第一个图片,”赛……»阅读更多

测量FinFETs将变得更加困难
通过马克LaPedus11月19日,2015 -评论:2

行业正在逐步迁移到芯片基于finFET晶体管在16 nm / 14 nm,但是生产这些finFETs工厂被证明是一个艰巨的挑战。finFETs模式是最困难的过程。但计量,另一个进程正迅速成为下一代晶体管技术的最大挑战之一。事实上,[getkc id = " 252 " kc_n……»阅读更多

下一代计量:寻找一个明亮的x射线源
通过半——5月21日,2015 -评论:0

Debra Vogler计量的半导体应用程序是一个广泛的话题无论一个是谈论front-end-of-line (FEOL)或back-end-of-line (BEOL)技术。本杰明Bunday、项目经理、CD计量和高级技术人员的成员在SEMATECH,破裂的主题下一代计量10 nm和半下面分成四个主要类别:•我…»阅读更多

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