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标签:variable-shaped梁

业务、技术挑战增加光掩模
通过马克LaPedus12月- 16,2021 -评论:0

专家们表:半导体工程坐下来讨论光学和EUV光掩模问题,以及面具业务所面临的挑战,与直Hayashi DNP研究员;彼得•巴克MPC &掩模缺陷管理主任西门子数字行业软件;资深的技术战略总监布莱恩Kasprowicz球兰;和阿基》d2的首席执行官。f…»阅读更多

检查、模式EUV掩
通过马克LaPedus- 06年11月2019 -评论:0

半导体工程坐下来讨论光刻和布莱恩Kasprowicz光掩模的趋势,技术总监和策略和一个杰出的成员在光电池的技术人员;托马斯•Scheruebl蔡司战略业务发展和产品战略主管;资深技术专家平Nakayamada NuFlare;和阿基》d2的首席执行官。符合什么……»阅读更多

多波束面具写最后是年龄
通过马克LaPedus11月- 15,2018 -评论:0

奈米制造的首席执行官埃尔Platzgummer IMS,坐下来与半导体工程讨论光掩模和面具写作趋势。IMS,英特尔公司的子公司,是光掩模的多波束电子束系统的供应商生产。以下是摘录的谈话。SE:多年来,光掩模制造商利用单光束电子束工具模式或写功能……»阅读更多

2017年反思:制造业和市场
通过布莱恩•贝利12月- 28,2017 -评论:0

人们喜欢做出预测,大部分时间他们很容易,但在半导体工程,我们要求他们每年预测进行回顾和评估他们是多么接近事情的真相。看到他们错过了什么,让他们感到很惊讶。不是每个人都接受我们的报价评分,但今年很多人。这是第一次两个部分看了pred…»阅读更多

1 xnm DRAM的挑战
通过马克LaPedus- 2月18日,2016 -评论:3

在最近的一次活动中,三星发表了一篇论文,描述了该公司计划扩展今天的平面后发到20海里。这是一个了不起的壮举。直到最近,大多数工程师认为今日将在20 nm左右停止扩展。相反,三星是增加世界上最先进的DRAMs-a 20纳米线部分计划更进一步。微米和SK海力士-秀……»阅读更多

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