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稀释剂与二维半导体通道


搬到未来的节点需要的不仅仅是较小的特点。3/2nm之外,新材料可能被添加,但哪些,什么时候将取决于爆炸材料的科学研究进行的大学和公司在全球范围内。场效应晶体管、门创建一个电场的电压通道,弯曲的禁令……»阅读更多

互联网FD-SOI的事情吗?


耗竭绝缘体(FD-SOI)晶圆有一个时刻?当然SOI晶片并不新鲜。Soitec SmartCut层转移技术在1994年获得专利,并与植入晶片氧化层在那之前。然而,采用SOI晶片是有限的。虽然他们提供改进设备隔离和减少寄生,增加晶片成本一直是ob……»阅读更多

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