先进材料高温过程的集成


从过去几个光刻节点,在14 - 10 nm范围内,最新的节点,在7 - 5 nm范围、模式和图像传输材料的需求急剧增加。的一个关键压力点是整平之间的权衡和所需的高温稳定性碳电影中使用模式和post-patterning流程集成。喋喋不休地说……»阅读更多

研究新一代CFET过程集成选项


决策是一个关键的步骤,半导体技术的发展。研发半导体工程师必须考虑不同的设计和工艺选择早期发展的新一代技术。建立技术,如失效模式与效应分析(FMEA)可以用来选择其中最有前途的设计和流程的选择。一旦特定的设计和过程米……»阅读更多

基准的研究附加磁场效应晶体管(CFET)流程集成选项


Sub-5纳米逻辑节点需要一个非常高水平的创新来克服固有的房地产的限制在这个设备密度增加。增加设备密度的一种方法是看设备垂直维度(z)和设备堆叠到彼此代替传统并排。[1]附加磁场效应晶体管的制造……»阅读更多

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