标签:寄生电阻

减少EM / IR对集成电路设计可靠性和性能的影响
通过乔尔Mercier9月- 13,2022 -评论:0

Mercier乔尔和凯伦Chow继续推进技术和铸造过程节点,它变得更加难以设计和验证集成电路(ic)。挑战变得更加明显低于5 nm节点,随着行业远离鳍场效应晶体管(finFET)和gate-all-around场效应晶体管(GAAFET)技术。有很多问题…»阅读更多

ESD P2P和CD验证不需要努力
通过Abdellah Bakhali11月24日,2020 -评论:0

作为一个设计师或验证工程师,你战斗的影响静电放电(ESD)在集成电路(IC)设计。委托人可以挑战甚至是一种令人沮丧的问题最有经验的设计师。一旦在市场上IC,意想不到的电气短裤将导致立即失败或介质击穿将导致渐进电路度……»阅读更多

FinFET设备性能如何外延过程变化而受到影响
通过杰克黄- 9月25日,2019 -评论:0

由Shih-Hao(杜松子酒)黄和陈于De需要晶体管规模更小尺寸继续按技术设计师,寄生电阻和电容的影响可以达到甚至超过晶体管性能的其他方面,如边缘电容或源漏电阻。设备的总电阻是由两个组成部分:内部再保险……»阅读更多

鳍和电线——我们怎么得到5海里?
通过迈克Chudzik- 8月18日,2016 -评论:0

随着行业超越10 nm的7和5 nm节点,基本转变需要地址扩展的挑战。重点关注驾驶行业变化中,尤其是对材料和结构,是影响晶体管的性能上升寄生电阻和寄生电容或RC。我最近谈到了这个行业的困境在半导体…»阅读更多

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