3 d NAND垂直扩展的竞赛

通过马克LaPedus12月17日,2020 -评论:1

3 d NAND闪存供应商正在加速努力转移到下一个技术节点在与日益激烈的竞争赛跑,但所有这些供应商都面临着各式各样的新业务,制造业,和成本的挑战。两个供应商,微米和SK海力士,最近超越了竞争和比例在3 d NAND比赛领先。但三星(Samsung)和数字(Kioxia-Western…»阅读更多

下一个新的记忆

通过马克LaPedus8月- 15,2019 -评论:2

几个下一代记忆类型增加经过多年的研发,但还有更多的新记忆研究管道。今天,几个下一代记忆,如MRAM、相变内存(PCM)和ReRAM航运一个学位或另一个。一些新记忆这些技术的延伸。其他基于全新的技术或涉及基于“增大化现实”技术的…»阅读更多

通过马克LaPedus2019年5月- 07 -评论:1

一些芯片制造商加大新一代内存类型称为STT-MRAM,但仍有各式各样的对当前和未来的设备制造和测试的挑战。STT-MRAM或自旋扭矩MRAM是吸引力和日益活跃,因为它结合了几种常规内存类型的属性在一个单一的设备。多年来,STT-MRAM特性…»阅读更多